ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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ZnO結晶はIII族窒化物結晶と構造的に類似性が高く,また,大面積バルク結晶も容易に入手できることから,無極性面窒化物薄膜の成長には理想的な基板である.ZnOは化学的,熱的に不安定性であり,成長中にIII族窒化物と反応してしまうという本質的な問題が指摘されていたが,最近我々が開発した「PLD室温成長技術」を用いることで急峻な無極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かってきた.今回この低温成長技術を用いて作製した無極性面窒化物には特有の異方的なひずみが生じ,その物性に大きな影響を与えることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
尾嶋 正治
東大院工
-
尾嶋 正治
東大工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
下元 一馬
東京大学生産技術研究所
-
上野 耕平
東京大学生産技術研究所
-
梶間 智文
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
-
尾嶋 正治
東大 大学院工学系研究科
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