17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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We will discuss epitaxial growth of GaN on atomically flat ZnO substrates at reduced substrate temperatures by the use of pulsed laser deposition (PLD) in order to suppress the interface reactions between ZnO and GaN. It has been found that the growth temperature can be reduced even to room temperature and room-temperature-grown layers serve as buffer layers for high-quality GaN films.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所
-
川口 祐司
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
小林 篤
東京大学生産技術研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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