室温結晶成長を用いたフレキシブルエレクトロニクスの開発
スポンサーリンク
概要
著者
-
小林 篤
東京大学大学院工学系研究科
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
Kobayashi Atsushi
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
関連論文
- 半導体表面への磁性ナノ構造の成長と物性
- LaMn_Cr_xO_3の磁気特性
- 29a-ZH-3 GaAs上に成長したMnAsドットの光電子分光
- 29a-ZH-1 量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C
- 26p-YJ-2 GaAs基板上に成長したMnAsドットの磁性
- Novel Alternating Dimer Chain System (CH_3)_2NH_2CuCl_3 Studied by X-ray Structural Analyses and Magnetization Process(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 室温結晶成長を用いたフレキシブルエレクトロニクスの開発
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 17pB06 (Mn,Zn)Fe_2O_4基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB07 格子整合ZrB_2基板上へのGaN低温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 28a-PS-62 LaCr_xMn_O_3の磁性
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Carbon Monoxide from Heme Oxygenase-1 Scavenges Reactive Oxygen Species Generated by Oxidized LDL in Macrophages through P38 MAP Kinase Pathway
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
- p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 17pB05 PLD法によるCu(111)基板上へのGaNのエピタキシャル成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 01aB08 単結晶fcc金属基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
- 不純物をドープしたマンガン酸化物の磁化挙動のシミュレーション
- Fe/C多層膜の作製と物性
- 28a-PS-97 Fe/C多層膜の作製と物性
- Rhodococcus aetherivorans IAR1, a new bacterial strain synthesizing poly (3-hydroxybutyrate-co-3-hydroxyvalerate) from toluene(ENVIRONMENTAL BIOTECHNOLOGY)
- PXD法を用いたハイブリッド発光材料の開発 (特集 LEDとデバイス技術)
- パルス励起堆積法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長
- 高分解能蛍光X線による元素固有の磁気モーメントの決定
- Factors Influencing Warfarin Requirements : Warfarin Increases Lactate Dehydrogenase Concentration in Patients with Valve Prostheses
- 光・電子材料 室温結晶成長技術を用いた高輝度緑色発光素子用材料の開発
- Absolute Measurements of Photoluminescence Quantum Yields of 1-Halonaphthalenes in 77K Rigid Solution Using an Integrating Sphere Instrument
- Molecular Cloning and Characterization of an Enzyme Hydrolyzing p-Nitrophenyl α-D-Glucoside from Bacillus stearothermophilus SA0301
- Improvement in the Crystalline Quality of Semipolar AlN($1\bar{1}02$) Films by Using ZnO Substrates with Self-Organized Nanostripes
- Structural Characteristics of GaN/InN Heterointerfaces Fabricated at Low Temperatures by Pulsed Laser Deposition
- Room-Temperature Epitaxial Growth of High Quality AlN on SiC by Pulsed Sputtering Deposition
- Layer-by-Layer Growth of AlN on ZnO(000$\bar{1}$) Substrates at Room Temperature
- GaN Heteroepitaxial Growth on LiTaO3(0001) Step Substrates by Pulsed Laser Deposition
- Tricuspid valvular dysplasia and its differentiation from Ebstein's anomaly
- 金属上への窒化物半導体低温成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)