21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
尾嶋 正治
東大工
-
藤原 勝敏
日本セラミックス(株)八東研究所
-
石井 晃
鳥取大学大学院工学研究科
-
藤岡 洋
東大工
-
太田 実雄
東京大学生産技術研究所
-
石井 晃
鳥取大工
-
石井 晃
鳥取大 工
-
藤原 勝敏
鳥取大工
-
藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
-
太田 実雄
東大工
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