石井 晃 | 鳥取大工
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概要
関連著者
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石井 晃
鳥取大工
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石井 晃
鳥取大学大学院工学研究科
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逢坂 豪
鳥取大工
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石井 晃
鳥取大 工
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制野 かおり
鳥取大学工学部応用数理工学科
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制野 かおり
鳥取大工
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川村 隆明
山梨大教育
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小森 文夫
東大物性研
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小山 聖史
鳥取大工
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楠原 秀昭
鳥取大工
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藤原 勝敏
日本セラミックス(株)八東研究所
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藤原 勝敏
鳥取大工
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中辻 寛
東大物性研
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石井 晃
鳥取大院工:jst-crest
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高木 康多
東大物性研
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高木 康多
理化学研究所播磨研究所
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富山 治
鳥取大工
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大門 寛
奈良先端大物質
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服部 梓
阪大院工
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小田 泰丈
鳥大院工
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石井 晃
鳥大院工
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石井 晃
鳥取大学工学部
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大門 寛
奈良先端大
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川村 隆明
山梨大学教育学部物理学教室
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服部 賢
奈良先端大物質創成
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服部 梓
奈良先端大物質創成
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新垣 久史
デジタルハリウッド大学大学院
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吉田 就彦
デジタルハリウッド大学大学院
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竹松 愛美
鳥取大工
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服部 賢
奈良先端大物質
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山崎 富美
テクノラティジャパン
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服部 賢
奈良先端大
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小田 泰丈
鳥取大工
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山添 純平
鳥取大工
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杉原 慎一
鳥取大工
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富山 治
鳥取大学工学部
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川村 隆明
山梨大学教育学部
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戎崎 俊一
理研
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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戎崎 俊一
東京大学教養学部宇宙地球科学教室
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尾嶋 正治
東大工
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吉田 正裕
東大物性研
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秋山 英文
東大物性研
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藤岡 洋
東大工
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常盤 広明
立教大理
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太田 実雄
東京大学生産技術研究所
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石田 真弓
立教大理
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立川 仁典
立教大理
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森 和英
早稲田計算科学CNS
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奥村 元
産総研
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森 和英
Wcsc
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荒川 泰彦
東大生研
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丸田 淳子
山梨大教育
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星 健夫
鳥取大理:jst-crest
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山本 雅奈
鳥取大工
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谷川 雅一
鳥取大工
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星 健夫
鳥取大工
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立川 仁典
横浜市立大学
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石井 晃
鳥取大学工学部応用数理工学科
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呉 智元
東大物性研:科技団
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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太田 実雄
東大工
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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塚本 史郎
東京大学生産技術研究所
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大島 俊輔
鳥取大工
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塚本 史郎
東大生研NCRC
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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三宅 大助
鳥取大学工学部
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谷口 允悠
鳥取大工
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荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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新居 弘敦
鳥取大工
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伊藤 貴則
鳥取大工
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塚大 雅俊
鳥取大学工学部
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塚大 雅俊
鳥取大工
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森 和英
Wcsc 高千穂大学情報メディアセンター鈴木研究室気付
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松下 朝彦
鳥取大工
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三宅 大助
鳥取大工
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呉 智元
東大物性研
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大西 立顕
東大情報理工,GIGS
著作論文
- 27a-PS-49 動的拡張型分子軌道法によるSi(111)表面上のH/Psの吸着に関する理論的研究
- 18aTB-1 Si(111)1×1,2×2-Feの界面強磁性(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ヒット現象の数理モデルの構築(経済物理学II-社会・経済への物理学的アプローチ-,京都大学基礎物理学研究所2005年度後期研究会)
- ヒット現象の数理モデルの構築(経済物理学II-社会・経済への物理学的アプローチ-,京都大学基礎物理学研究所2005年度後期研究会)
- 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-108 グラフェンシート上における原子の動的過程の第一原理計算(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pPSA-10 第一原理計算によるSi(111)-2×1表面ステップ構造とバイアス依存STM像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYC-1 シミュレーションによるGaAs(110)表面エピタキシャル成長での異方パターン形成の研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYC-3 GaN(0001) 結晶成長時における Si 原子の役割と振る舞いの理論解析
- 22aT-6 第一原理計算によるGe(001)表面上のAg初期吸着構造の研究
- 21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算
- 30p-S-11 GaAs(100)面上MBE成長のAs/Ga供給比依存性
- 26pYC-2 ZnOホモ・ヘテロ成長における極性決定メカニズムの第一原理計算による研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aYC-5 InAs/GaAs(001) 量子ドット形成の第一原理計算と動的モンテカルロシミュレーション
- 21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
- 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 21aPS-16 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態III(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aXF-11 Si(001)表面のステップでのSi原子動力学の古典分子動力学法による研究(表面・界面ダイナミクス(金属表面・理論),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-6 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-117 第一原理計算によるGe(001)表面バンド構造の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-5 Ge(001)c(4×2) 清浄表面の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 20aPS-55 SiO_2/Si(001) 表面上のシリコンドット成長の動的モンテカルロシミュレーション
- 24pPSA-53 Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長の動的モンテカルロシミュレーション
- 20aPS-32 低温で見られる Si(001) 表面銀吸着構造の第一原理計算
- 20aPS-2 GaN(0001) 結晶成長の第一原理計算と連動した動的モンテカルロシミュレーション開発
- 26aPS-52 AlAg(100)表面のMBEホモエピタキシャル結晶成長モンテカルロシミュレーション
- 30p-S-12 AlAs(100)表面のMBE結晶成長のモンテカルロシミュレーション
- 19pPSB-3 Si(100)表面におけるSi島のMBEシミュレーション
- 19pPSB-4 閃亜鉛構造に基づくGaAs(001)のMBE動的モンテカルロシミュレーション
- 31aZE-11 Si(001)-2x3-Ag 表面における STM シミュレーションの研究
- 19pPSB-39 Si(001)-Ag表面の第一原理計算
- 23pWA-12 GaAs(100)表面上におけるAS_2分子の表面ダイナミクスの第一原理計算
- GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長におけるAs_2分子の振る舞いの第一原理計算 : 成長界面III
- GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長下のGa終端ドメインでのAs原子のmigration : 成長界面III
- 26aPS-53 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算II
- 30p-S-13 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算
- 27a-PS-51 第一原理計算によるSi(001)表面上の水素対の拡散の研究
- 31a-PS-42 GaAs(100)表面のAs原子の拡散バリアエネルギーの第一原理計算
- 7a-PS-37 Ni(100)表面上の量子細線の角度分解光電子分光の計算
- 29a-PS-52 MBEモンテカルロシミュレーションにみる1成分系と2成分系の比較
- GaAsホモエピタキシャル成長におけるGaとAsの差 : シミュレーションによる研究
- SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス
- モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較
- 25pT-6 GaAs(100)微斜面上のMBE成長におけるAs/Ga供給比依存性
- 6pPSB-3 動的モンテカルロ法を用いたSi(100)表面上のSi、Ge島崩壊シミュレーション(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-38 第一原理分子動力学によるSi(001)-(2×3)-Ag表面の研究(表面界面結晶成長,領域9)
- 25aWD-6 動的モンテカルロ法を用いたSi(001)表面上のSi島とGe島の崩壊の比較(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 6pPSB-2 SiC(0001)表面におけるN原子成長過程の解明(表面界面結晶成長,領域9)
- 29pAJ-5 企業間の振込ネットワークの統計性(29pAJ ネットワーク一般,領域11(物性基礎論・統計力学・流体物理・応用数学・社会経済物理))
- 7aSN-10 第一原理計算によるGaN(0001)エピタキシャル成長の研究(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)