21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 吉田 正裕

  東大物性研

• 秋山 英文

  東大物性研

• 石井 晃

  鳥取大工

• 石井 晃

  鳥取大 工

• 逢坂 豪

  鳥取大工

• 呉 智元

  東大物性研:科技団

• 呉 智元

  東大物性研

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