GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長下のGa終端ドメインでのAs原子のmigration : 成長界面III
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概要
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Migration of As adatom on Ga-terminated domains on GaAs(001) homoepitaxial growth surface is studied using the first-principle calculation. The calculated migration barrier energy for As adatom is smaller than that of Ga adatom and anisotropic as that of Ga. These results agree qualitatively with the recent kinematic Monte Carlo study.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
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