29p-PSB-23 H/Pd(111)ARUPSの計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-03-16

著者

• 阿部 秀司

  鳥取大 教養

• 逢坂 豪

  鳥取大工

• 逢坂 豪

  鳥取大 教養

• 石井 晃

  鳥取大 教養

関連論文

• 21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算
• 22aYC-5 InAs/GaAs(001) 量子ドット形成の第一原理計算と動的モンテカルロシミュレーション
• 28p-PSB-3 H/Ni(111)のARUPS計算 II
• 13a-PS-42 H/Ni(111)のARUPS
• 2a-Q-9 円偏光によるARUPSの理論
• 13a-PS-43 Li/Cu(100)のARUPS
• 13a-PS-41 円偏光によるARUPSの理論
• 29p-PSB-24 強磁性Ni表面からのARUPS計算
• 24aPS-117 第一原理計算によるGe(001)表面バンド構造の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 20aPS-32 低温で見られる Si(001) 表面銀吸着構造の第一原理計算
• 20aPS-2 GaN(0001) 結晶成長の第一原理計算と連動した動的モンテカルロシミュレーション開発
• 第一原理計算によるGaN(0001)のエピタキシャル成長の研究 : 結晶成長理論シンポジウム
• 19pPSA-11 2次元要素自動分割法を用いた有限要素法によるシュレディンガー方程式の精度検証
• 30aPS-14 四面体要素を用いた有限要素法による第一原理計算法
• 29p-PSB-23 H/Pd(111)ARUPSの計算
• 26aPS-52 AlAg(100)表面のMBEホモエピタキシャル結晶成長モンテカルロシミュレーション
• 30p-S-12 AlAs(100)表面のMBE結晶成長のモンテカルロシミュレーション
• 19pPSB-2 動的モンテカルロ法を用いたGaN(0001)表面のMBE成長シミュレーション
• 19pPSB-4 閃亜鉛構造に基づくGaAs(001)のMBE動的モンテカルロシミュレーション
• 31aZE-11 Si(001)-2x3-Ag 表面における STM シミュレーションの研究
• 19pPSB-39 Si(001)-Ag表面の第一原理計算
• 23pWA-12 GaAs(100)表面上におけるAS_2分子の表面ダイナミクスの第一原理計算
• GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長におけるAs_2分子の振る舞いの第一原理計算 : 成長界面III
• GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長下のGa終端ドメインでのAs原子のmigration : 成長界面III
• 四面体要素を用いたオブジェクト指向的な新しい実空間電子状態計算法の開発
• 26aPS-53 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算II
• 30p-S-13 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算
• 27a-PS-51 第一原理計算によるSi(001)表面上の水素対の拡散の研究
• 31a-PS-42 GaAs(100)表面のAs原子の拡散バリアエネルギーの第一原理計算
• 7a-PS-37 Ni(100)表面上の量子細線の角度分解光電子分光の計算
• 29a-PS-52 MBEモンテカルロシミュレーションにみる1成分系と2成分系の比較
• GaAsホモエピタキシャル成長におけるGaとAsの差 : シミュレーションによる研究
• 28p-PSB-7 金属表面上のPs生成確率の計算
• 29a-H-4 Al(111)√3x√3-Na,KのARUPS計算
• 29p-PS-41 ニッケルの光電子スペクトル
• 27a-ZF-10 Si(100)2x1表面の光電子スペクトルの計算
• 24a-PS-19 ジェリウム表面近くのポジトロニウムの振る舞い
• 5a-PS-36 Si(100)2x1表面の角度分解 : 光電子分光の計算
• 5a-PS-33 カリウム表面の角度分解光電子分光の計算
• 31a-T-7 アルカリ金属表面の光電子放出
• 6pPSB-3 動的モンテカルロ法を用いたSi(100)表面上のSi、Ge島崩壊シミュレーション(表面界面結晶成長,領域9)
• 6pPSB-38 第一原理分子動力学によるSi(001)-(2×3)-Ag表面の研究(表面界面結晶成長,領域9)
• 25aWD-6 動的モンテカルロ法を用いたSi(001)表面上のSi島とGe島の崩壊の比較(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 6pPSB-2 SiC(0001)表面におけるN原子成長過程の解明(表面界面結晶成長,領域9)
• 7aSN-10 第一原理計算によるGaN(0001)エピタキシャル成長の研究(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク