30p-S-13 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 石井 晃

  鳥取大工

• 逢坂 豪

  鳥取大工

• 制野 かおり

  鳥取大学工学部応用数理工学科

• 制野 かおり

  鳥取大工

関連論文

• 27a-PS-49 動的拡張型分子軌道法によるSi(111)表面上のH/Psの吸着に関する理論的研究
• 18aTB-1 Si(111)1×1,2×2-Feの界面強磁性(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ヒット現象の数理モデルの構築(経済物理学II-社会・経済への物理学的アプローチ-,京都大学基礎物理学研究所2005年度後期研究会)
• ヒット現象の数理モデルの構築(経済物理学II-社会・経済への物理学的アプローチ-,京都大学基礎物理学研究所2005年度後期研究会)
• 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aPS-108 グラフェンシート上における原子の動的過程の第一原理計算(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pPSA-10 第一原理計算によるSi(111)-2×1表面ステップ構造とバイアス依存STM像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pYC-1 シミュレーションによるGaAs(110)表面エピタキシャル成長での異方パターン形成の研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYC-3 GaN(0001) 結晶成長時における Si 原子の役割と振る舞いの理論解析
• GaAs(100)表面上の原子の拡散過程の第一原理計算
• 第一原理計算によるGe(001)表面のAg原子吸着構造の解析とSTMシミュレーション
• 22aT-6 第一原理計算によるGe(001)表面上のAg初期吸着構造の研究
• 21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算
• 30p-S-11 GaAs(100)面上MBE成長のAs/Ga供給比依存性
• 26pYC-2 ZnOホモ・ヘテロ成長における極性決定メカニズムの第一原理計算による研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYC-5 InAs/GaAs(001) 量子ドット形成の第一原理計算と動的モンテカルロシミュレーション
• 21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
• 28p-PSB-3 H/Ni(111)のARUPS計算 II
• 13a-PS-42 H/Ni(111)のARUPS
• 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 2a-Q-9 円偏光によるARUPSの理論
• 13a-PS-43 Li/Cu(100)のARUPS
• 13a-PS-41 円偏光によるARUPSの理論
• 29p-PSB-24 強磁性Ni表面からのARUPS計算
• 21aPS-16 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態III(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aXF-11 Si(001)表面のステップでのSi原子動力学の古典分子動力学法による研究(表面・界面ダイナミクス(金属表面・理論),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-6 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-117 第一原理計算によるGe(001)表面バンド構造の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-5 Ge(001)c(4×2) 清浄表面の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 20aPS-55 SiO_2/Si(001) 表面上のシリコンドット成長の動的モンテカルロシミュレーション
• 24pPSA-53 Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長の動的モンテカルロシミュレーション
• 20aPS-32 低温で見られる Si(001) 表面銀吸着構造の第一原理計算
• 20aPS-2 GaN(0001) 結晶成長の第一原理計算と連動した動的モンテカルロシミュレーション開発
• 第一原理計算によるGaN(0001)のエピタキシャル成長の研究 : 結晶成長理論シンポジウム
• 19pPSA-11 2次元要素自動分割法を用いた有限要素法によるシュレディンガー方程式の精度検証
• 30aPS-14 四面体要素を用いた有限要素法による第一原理計算法
• 29p-PSB-23 H/Pd(111)ARUPSの計算
• 26aPS-52 AlAg(100)表面のMBEホモエピタキシャル結晶成長モンテカルロシミュレーション
• 30p-S-12 AlAs(100)表面のMBE結晶成長のモンテカルロシミュレーション
• 19pPSB-3 Si(100)表面におけるSi島のMBEシミュレーション
• 19pPSB-2 動的モンテカルロ法を用いたGaN(0001)表面のMBE成長シミュレーション
• 19pPSB-4 閃亜鉛構造に基づくGaAs(001)のMBE動的モンテカルロシミュレーション
• 31aZE-11 Si(001)-2x3-Ag 表面における STM シミュレーションの研究
• 19pPSB-39 Si(001)-Ag表面の第一原理計算
• 23pWA-12 GaAs(100)表面上におけるAS_2分子の表面ダイナミクスの第一原理計算
• GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長におけるAs_2分子の振る舞いの第一原理計算 : 成長界面III
• GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長下のGa終端ドメインでのAs原子のmigration : 成長界面III
• 四面体要素を用いたオブジェクト指向的な新しい実空間電子状態計算法の開発
• 26aPS-53 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算II
• 30p-S-13 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算
• 27a-PS-51 第一原理計算によるSi(001)表面上の水素対の拡散の研究
• 31a-PS-42 GaAs(100)表面のAs原子の拡散バリアエネルギーの第一原理計算
• 7a-PS-37 Ni(100)表面上の量子細線の角度分解光電子分光の計算
• 29a-PS-52 MBEモンテカルロシミュレーションにみる1成分系と2成分系の比較
• GaAsホモエピタキシャル成長におけるGaとAsの差 : シミュレーションによる研究
• 28p-PSB-7 金属表面上のPs生成確率の計算
• 29a-H-4 Al(111)√3x√3-Na,KのARUPS計算
• 29p-PS-41 ニッケルの光電子スペクトル
• 27a-ZF-10 Si(100)2x1表面の光電子スペクトルの計算
• 24a-PS-19 ジェリウム表面近くのポジトロニウムの振る舞い
• 5a-PS-36 Si(100)2x1表面の角度分解 : 光電子分光の計算
• 5a-PS-33 カリウム表面の角度分解光電子分光の計算
• 31a-T-7 アルカリ金属表面の光電子放出
• SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス
• モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較
• 25pT-6 GaAs(100)微斜面上のMBE成長におけるAs/Ga供給比依存性
• 6pPSB-3 動的モンテカルロ法を用いたSi(100)表面上のSi、Ge島崩壊シミュレーション(表面界面結晶成長,領域9)
• 6pPSB-38 第一原理分子動力学によるSi(001)-(2×3)-Ag表面の研究(表面界面結晶成長,領域9)
• 25aWD-6 動的モンテカルロ法を用いたSi(001)表面上のSi島とGe島の崩壊の比較(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 6pPSB-2 SiC(0001)表面におけるN原子成長過程の解明(表面界面結晶成長,領域9)
• 29pAJ-5 企業間の振込ネットワークの統計性(29pAJ ネットワーク一般,領域11(物性基礎論・統計力学・流体物理・応用数学・社会経済物理))
• 7aSN-10 第一原理計算によるGaN(0001)エピタキシャル成長の研究(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク