26pYC-1 シミュレーションによるGaAs(110)表面エピタキシャル成長での異方パターン形成の研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 小田 泰丈

  鳥大院工

• 石井 晃

  鳥大院工

• 石井 晃

  鳥取大工

• 石井 晃

  鳥取大院工:jst-crest

• 小田 泰丈

  鳥取大工

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