石井 晃 | 鳥取大院工:jst-crest
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概要
関連著者
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石井 晃
鳥取大院工:jst-crest
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中田 謙吾
鳥取大院工:jst-crest
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鳥大院工
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石井 晃
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松本 武洋
鳥取大学大学院工学研究科
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鳥取大学大学院工学研究科
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多谷 孝明
鳥取大院工
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小田 泰丈
鳥取大院工
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横山 真美
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奥村 元
産総研
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浅野 裕基
鳥取大学院工
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鳥取大理:jst-crest
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谷川 雅一
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星 健夫
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JST-CREST
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石井 晃
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松本 武洋
鳥取大院工
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三喜 伸二
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平井 翔
鳥取大学院工:jst-crest
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浅野 裕基
鳥取大学院工:jst-crest
著作論文
- 22pGQ-9 DFT計算によるグラファイト基板表面上GaN,GaPのエピタキシャル成長の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-23 DFT計算によるAu/Ge(111)表面構造の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-61 DFT計算によるGe(111)表面上Auの吸着構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aGP-4 第一原理計算を用いたS終端Au表面担持型Pd触媒の研究(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGP-11 DFT計算による二層グラフェン上の吸着子の電子構造(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pYG-10 DFT計算におけるグラファイト基板上のGaNの結晶成長の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYG-8 DFT計算によるグラフェンシート上の吸着原子の安定性の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aWS-6 第一原理計算によるグラファイト基板表面上のAlNおよびInNのエピタキシャル成長の研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-8 二次元モノレイヤーMoS_2上の吸着子の電子構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-10 第一原理計算によるSi(111)-2×1表面ステップ構造とバイアス依存STM像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 理論計算から見た窒化物半導体とZnOの様々な面でのエピタキシャル成長初期過程(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 26aYC-8 Si(001)表面上シトシン吸着構造の第一原理計算(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYC-1 シミュレーションによるGaAs(110)表面エピタキシャル成長での異方パターン形成の研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYC-3 GaN(0001) 結晶成長時における Si 原子の役割と振る舞いの理論解析
- 20aTF-2 第一原理計算によるAs終端GaAs(001)表面のAsとPの動力学
- 26aTF-6 ヒット現象の数理モデルを用いた地域活性化へのアプローチ(26aTF その他の数理モデル・その他の系(摂動法・数値計算アルゴリズムを含む),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24aPS-81 第一原理計算による2層グラフェン上GaNの成長の研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-54 DFT計算によるグラフェン上のMn原子吸着の研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-19 DFT計算によるグラフェン上のN原子吸着の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-50 第一原理計算によるグラファイト基板上Ga層の形成の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))