石井 晃 | 鳥取大学工学部
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概要
関連著者
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石井 晃
鳥取大学工学部
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石井 晃
鳥取大学大学院工学研究科
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石井 晃
鳥取大院工:jst-crest
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日本セラミックス(株)八東研究所
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三好 智弘
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制野 かおり
Institut fur Festkorpertheorie und Theoretische Optik, Friedrich-Schiller-Universitat Jena
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三宅 大助
鳥取大学工学部
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富山 治
鳥取大学工学部
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塚大 雅俊
鳥取大学工学部
著作論文
- 酸化亜鉛結晶成長機構の理論的研究
- 理論計算から見た窒化物半導体とZnOの様々な面でのエピタキシャル成長初期過程(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 26aYC-8 Si(001)表面上シトシン吸着構造の第一原理計算(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aTF-2 第一原理計算によるAs終端GaAs(001)表面のAsとPの動力学
- GaAs(100)表面上の原子の拡散過程の第一原理計算
- 第一原理計算によるGe(001)表面のAg原子吸着構造の解析とSTMシミュレーション
- Java言語による分子動力学ライブラリ
- 第一原理計算によるGaN(0001)のエピタキシャル成長の研究 : 結晶成長理論シンポジウム
- 19pPSB-2 動的モンテカルロ法を用いたGaN(0001)表面のMBE成長シミュレーション
- 四面体要素を用いたオブジェクト指向的な新しい実空間電子状態計算法の開発
- SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス
- モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較