石井 晃 | 鳥取大 工
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概要
関連著者
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石井 晃
鳥取大 工
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石井 晃
鳥取大学大学院工学研究科
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石井 晃
鳥取大工
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藤原 勝敏
日本セラミックス(株)八東研究所
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小森 文夫
東大物性研
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逢坂 豪
鳥取大工
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楠原 秀昭
鳥取大工
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藤原 勝敏
鳥取大工
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中辻 寛
東大物性研
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新垣 久史
デジタルハリウッド大学大学院
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吉田 就彦
デジタルハリウッド大学大学院
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高木 康多
東大物性研
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高木 康多
理化学研究所播磨研究所
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戎崎 俊一
理研
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大門 寛
奈良先端大物質
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阪大院工
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石井 晃
鳥取大学工学部
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大門 寛
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服部 賢
奈良先端大物質創成
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服部 梓
奈良先端大物質創成
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竹松 愛美
鳥取大工
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服部 賢
奈良先端大物質
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テクノラティジャパン
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服部 賢
奈良先端大
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山本 雅奈
鳥取大工
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荒川 泰彦
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東京大学教養学部宇宙地球科学教室
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尾嶋 正治
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小田 泰丈
鳥大院工
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石井 晃
鳥大院工
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安東 孝止
鳥取大学工学部
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松本 武洋
鳥取大学大学院工学研究科
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吉田 正裕
東大物性研
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秋山 英文
東大物性研
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藤岡 洋
東大工
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松田 直也
鳥取大学院工
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梅村 早苗
鳥取大学院工
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林 隆文
鳥取大学院工
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松本 武洋
鳥取大学院工
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中川 健
(株)電通
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石井 晃
鳥取大学院工
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太田 実雄
東京大学生産技術研究所
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石井 晃
鳥取大院工:jst-crest
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荒川 泰彦
東大生研
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山本 雅奈
鳥大工
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石井 晃
鳥大工
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藤原 勝敏
鳥大工
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呉 智元
東大物性研:科技団
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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太田 実雄
東大工
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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塚本 史郎
東京大学生産技術研究所
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大島 俊輔
鳥取大工
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塚本 史郎
東大生研NCRC
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山添 純平
鳥取大工
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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谷口 允悠
鳥取大工
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荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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呉 智元
東大物性研
著作論文
- 酸化亜鉛結晶成長機構の理論的研究
- 25aQD-3 GRPを用いたヒット現象の数理モデルの映画興行・社会現象への応用とネットワーク科学的拡張(生物・生態系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 18aTB-1 Si(111)1×1,2×2-Feの界面強磁性(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ヒット現象の数理モデルの構築(経済物理学II-社会・経済への物理学的アプローチ-,京都大学基礎物理学研究所2005年度後期研究会)
- ヒット現象の数理モデルの構築(経済物理学II-社会・経済への物理学的アプローチ-,京都大学基礎物理学研究所2005年度後期研究会)
- 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aPS-80 カーボンナノチューブの内側と外側における原子の動的過程の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-108 グラフェンシート上における原子の動的過程の第一原理計算(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 理論計算から見た窒化物半導体とZnOの様々な面でのエピタキシャル成長初期過程(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算
- 26pYC-2 ZnOホモ・ヘテロ成長における極性決定メカニズムの第一原理計算による研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aYC-5 InAs/GaAs(001) 量子ドット形成の第一原理計算と動的モンテカルロシミュレーション
- 21pYC-6 サファイア基板上 GaN 薄膜の成長メカニズムの第一原理計算
- 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 21aPS-16 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態III(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aXF-11 Si(001)表面のステップでのSi原子動力学の古典分子動力学法による研究(表面・界面ダイナミクス(金属表面・理論),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-6 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-117 第一原理計算によるGe(001)表面バンド構造の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-5 Ge(001)c(4×2) 清浄表面の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 20aPS-55 SiO_2/Si(001) 表面上のシリコンドット成長の動的モンテカルロシミュレーション
- 20aPS-32 低温で見られる Si(001) 表面銀吸着構造の第一原理計算
- 20aPS-2 GaN(0001) 結晶成長の第一原理計算と連動した動的モンテカルロシミュレーション開発