26aYC-8 Si(001)表面上シトシン吸着構造の第一原理計算(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 石井 晃

  鳥取大学工学部

• 石井 晃

  鳥取大院工:jst-crest

• 三好 智弘

  鳥取大学工学部

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