26aWS-6 第一原理計算によるグラファイト基板表面上のAlNおよびInNのエピタキシャル成長の研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2010-08-18
著者
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石井 晃
鳥取大学院工
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石井 晃
鳥取大院工:jst-crest
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多谷 孝明
鳥取大学院工
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多谷 孝明
鳥取大院工:jst-crest
-
平井 翔
鳥取大学院工
-
中田 謙吾
鳥取大学院工
-
中田 謙吾
鳥取大院工:jst-crest
-
平井 翔
鳥取大学院工:jst-crest
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