石井 晃 | 鳥取大院工

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概要

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• 石井 晃

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• 中田 謙吾

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• 石井 晃

  鳥取大院工:jst-crest

• 中田 謙吾

  鳥取大院工:jst-crest

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 小田 泰丈

  鳥大院工

• 松本 武洋

  鳥取大学大学院工学研究科

• 多谷 孝明

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• 小田 泰丈

  鳥取大院工

• 多谷 孝明

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• 松本 武洋

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• 三喜 伸二

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• 林 洋介

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• 山本 奈津美

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著作論文

• 22pGQ-9 DFT計算によるグラファイト基板表面上GaN,GaPのエピタキシャル成長の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGP-11 DFT計算による二層グラフェン上の吸着子の電子構造(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYG-8 DFT計算によるグラフェンシート上の吸着原子の安定性の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-8 二次元モノレイヤーMoS_2上の吸着子の電子構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aTF-6 ヒット現象の数理モデルを用いた地域活性化へのアプローチ(26aTF その他の数理モデル・その他の系(摂動法・数値計算アルゴリズムを含む),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-19 DFT計算によるグラフェン上のN原子吸着の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aFN-8 グラファイト基板上の窒化物半導体成長における欠陥と不純物の影響(19aFN 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-18 第一原理計算におけるグラフェンの欠損及び不純物に関する研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pBG-2 ヒット現象の数理モデル : 選挙への応用(26pBG 生物・生態系2・ネットワーク一般,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))

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