奥村 元 | 産総研
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概要
関連著者
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奥村 元
産総研
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北村 寿朗
東理大
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尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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奥村 元
産業技術総合研究所
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秩父 重英
筑波大学物理工学系
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
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北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
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中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
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宗田 孝之
早稲田大学
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竹内 淳
早稲田大 理工
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DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
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奥村 元
産業技術総合研
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Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
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Denbaars Steven
Materials Department University Of California
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Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
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秩父 重英
筑波大物工
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中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
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DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
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鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
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櫛引 淳一
東北大学大学院工学研究科
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大橋 雄二
東北大学大学院工学研究科
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荒川 元孝
東北大学大学院工学研究科
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石井 晃
鳥取大工
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石井 晃
鳥取大院工:jst-crest
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加藤 智久
産総研
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櫛引 淳一
東北大院・工
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荒川 元孝
東北大院・工
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大橋 雄二
東北大院・工
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高麗 友輔
東北大院・工
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西野 茂弘
京都工繊大学
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西野 茂弘
京都工繊大
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小山 聖史
鳥取大工
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櫛引 淳一
東北大 大学院工学研究科
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荒川 元孝
東北大院工
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高麗 友輔
東北大学大学院工学研究科
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鈴木 彰
立命館大
著作論文
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 3J1-3 超音波マイクロスペクトロスコピー技術を用いた4H-SiC単結晶の評価(超音波物性・光超音波)
- シリコンカーバイドおよび関連材料に関する国際会議2007報告
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 21pYC-3 GaN(0001) 結晶成長時における Si 原子の役割と振る舞いの理論解析
- 18aA02 立方晶III族窒化物MBEエピタキシャル成長における構造欠陥の発生と制御(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 立方晶3族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
- 立方晶および六方晶GaNエピタキシャル層における自由励起子スペクトル (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
- シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議報告