黒田 剛正 | 早稲田大学理工学部
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概要
関連著者
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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竹内 淳
早稲田大 理工
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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横山 直樹
富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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中田 義昭
富士通研究所
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中田 義昭
富士通研
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竹内 淳
早大理工
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黒田 剛正
早大理工
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尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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奥村 元
産業技術総合研究所
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奥村 元
産総研
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秩父 重英
筑波大学物理工学系
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尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
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北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
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中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
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宗田 孝之
早稲田大学
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笹生 竜次郎
早大理工
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間瀬 和夫
早大理工
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DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
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奥村 元
産業技術総合研
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山下 陽滋
スタンレー電気株式会社技術研究所
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Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
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藪下 智仁
早稲田大学理工学部
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堀尾 直史
スタンレー電気株式会社技術研究所
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谷口 和与至
スタンレー電気株式会社技術研究所
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千野根 崇子
スタンレー電気株式会社技術研究所
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船岡 千洋
スタンレー電気株式会社技術研究所
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北村 寿朗
東理大
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Denbaars Steven
Materials Department University Of California
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Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
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秩父 重英
筑波大物工
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中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
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DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
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間瀬 和夫
早稲田大学理工学部
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横山 匿樹
富士通研
著作論文
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
- 18aYG-5 半導体量子ドット間の交換相互作用による反強磁性秩序の観測
- 27aYS-4 InAs量子ドット内およびドット間トンネルでの電子スピン緩和
- LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
- 緑色発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネッセンス測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 緑色発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネッセンス測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 25aYE-6 キャリアのスピンコヒーレンスとドツト間交換相互作用(25aYE 領域5シンポジウム主題:半導体量子ドットの光励起コヒーレンス-量子コヒーレンスの制御をめざして-,領域5(光物性分野))