宗田 孝之 | 早稲田大学

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概要

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関連著者

• 宗田 孝之

  早稲田大学

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 秩父 重英

  筑波大物工

• 尾沼 猛儀

  東北大学多元物質科学研究所

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 羽豆 耕治

  東北大学多元物質科学研究所

• 秩父 重英

  東北大学多元物質科学研究所

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 宗田 孝之

  早大理工

• 中村 厚

  早稲田大学

• 中村 修二

  Jst-erato中村pj:ucsb

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 宗田 孝之

  早稲田大学大学院

• 會沢 勝夫

  早稲田大学 理工学総合研究センター

• 清原 祥夫

  静岡県立静岡がんセンター 皮膚科

• 清原 祥夫

  静岡県立静岡がんセンター 形成外科

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産総研

• 秩父 重英

  筑波大学物理工学系

• 黒田 剛正

  早稲田大学理工学部

• 尾沼 猛儀

  筑波大学物理工学系

• 北村 寿朗

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 竹内 淳

  早稲田大学理工学部

• DenBaars Steven

  Department of Materials Engineering, University of California

• 中村 修二

  科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト

• 永岡 隆

  早稲田大学

• 竹内 淳

  早稲田大 理工

• DENBAARS Steven

  Electrical and Computer Engineering Department, University of California

• 清原 祥夫

  静岡県立静岡がんセンター

• 奥村 元

  産業技術総合研

• Denbaars Steven

  Jst-erato中村pj:ucsb

• 北村 寿朗

  東理大

• Denbaars Steven

  Materials Department University Of California

• Denbaars Steven

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California

• 永岡 隆

  早稲田大学理工学術院

• DenBaars Steven

  Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.

• 中村 修二

  日亜化学工業

• 佐藤 優太

  早稲田大学TWIns

• 會沢 勝夫

  東京医科大学 第2生理学教室

• 和田 一実

  マサチューセッツ工科大

• 和田 一実

  マサチューセッツ工科大学材料理工学科

• 永岡 隆

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 松本 隆

  早稲田大学先進理工学学術院 電気・情報生命工学科

• 秩父 重英

  国立大学法人筑波大学 大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻

• 秩父 重英

  カリフォルニア大学材料学科

• 幸前 篤朗

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 村下 達

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 大坪 真也

  早稲田大学

• 會沢 勝夫

  早稲田大学

• 會沢 勝夫

  東京医科大・第二生理

• 中村 厚

  早稲田大学理工学術院

• 奥谷 悠

  早稲田大学大学院

• 村松 大吾

  大阪大学産業科学研究所

• 松本 隆

  早稲田大学理工学術院

• 赤沢 史嗣

  早稲田大学理工学術院

• 佐藤 優太

  早稲田大学理工学術院

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著作論文

• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル : III-V族窒化物半導体GaNとの類似点と相違点
• カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
• 人の心を科学の世界に誘うクリスマスレクチャー - 日本での5回目は早大で
• 望遠鏡の革命を支える電気関連技術
• 光スペクトルからメラノーマ鑑別指標を導出する方法の検討
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 平成13年度 春季講演会・シンポジウム報告
• メラノーマの新しい非侵襲的診断法の開発 : ハイパースペクトルデータに基づくメラノーマ鑑別指標
• AS-4-1 0.93nm波長解像度八イパースペクトラルDatacube生体認証(AS-4.マルチバイオメトリクス技術の研究動向,シンポジウムセッション)

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