立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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対称性の違いにより生じるInGaN量子井戸の光学特性の差異について議論する. InNモル分率の比較的高い六方晶InGaN量子井戸では圧電分極により生じる電場に起因する量子閉じ込めシュタルク効果が顕著であり、電子-正孔対の波動関数分離による発光再結合寿命の増加と発光ピークの低エネルギシフトが大いに強調される。一方、InNモル分率の低い六方晶InGaNや立方晶InGaN量子井戸ではこれらの分極効果は顕著で無くなる。特に後者の立方晶InGaN量子井戸では結晶の対称性から圧電分極が井戸面に垂直に発生しない。このような圧電分極の無いないしは弱い井戸構造においても、局在系に特有なフォトルミネッセンス特性が観測された。従って、圧電効果の有無に関わらずInGaN量子井戸において観測される励起子局在効果は材料に本質的なものであると考えられる。
- 2002-06-07
著者
-
尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
-
宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
-
奥村 元
産業技術総合研究所
-
奥村 元
産総研
-
秩父 重英
筑波大学物理工学系
-
黒田 剛正
早稲田大学理工学部
-
尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
-
北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
竹内 淳
早稲田大学理工学部
-
DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
-
中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
-
宗田 孝之
早稲田大学
-
竹内 淳
早稲田大 理工
-
DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
-
奥村 元
産業技術総合研
-
Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
-
北村 寿朗
東理大
-
Denbaars Steven
Materials Department University Of California
-
Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
-
秩父 重英
筑波大物工
-
中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
-
DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
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