18aA02 立方晶III族窒化物MBEエピタキシャル成長における構造欠陥の発生と制御(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)

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概要

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• Although cubic III-nitrides have been successfully grown on several kinds of cubic substrates, including GaN, AlN, AlGaN, InGaN etc., their quality improvement is not enough compared with the hexagonal phase. The most serious problem is the occurrence of phase mixing and stacking fault. The experimental results of their occurrence are shown, and the formation mechanism is disucussed. Several approaches for the suppression of such defects are also shown.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2005-08-17

著者

• 奥村 元

  産総研

• 北村 寿朗

  東理大

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