北村 寿朗 | 東理大

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概要

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• 東理大の論文著者

関連著者

• 奥村 元

  産総研

• 北村 寿朗

  東理大

• 尾沼 猛儀

  東北大学多元物質科学研究所

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 秩父 重英

  筑波大学物理工学系

• 黒田 剛正

  早稲田大学理工学部

• 尾沼 猛儀

  筑波大学物理工学系

• 北村 寿朗

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 竹内 淳

  早稲田大学理工学部

• DenBaars Steven

  Department of Materials Engineering, University of California

• 中村 修二

  科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト

• 宗田 孝之

  早稲田大学

• 竹内 淳

  早稲田大 理工

• DENBAARS Steven

  Electrical and Computer Engineering Department, University of California

• 奥村 元

  産業技術総合研

• Denbaars Steven

  Jst-erato中村pj:ucsb

• Denbaars Steven

  Materials Department University Of California

• Denbaars Steven

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California

• 秩父 重英

  筑波大物工

• 中村 修二

  Jst-erato中村pj:ucsb

• DenBaars Steven

  Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.

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著作論文

• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 18aA02 立方晶III族窒化物MBEエピタキシャル成長における構造欠陥の発生と制御(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)

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