北村 寿朗 | 東理大
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概要
関連著者
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奥村 元
産総研
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北村 寿朗
東理大
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尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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奥村 元
産業技術総合研究所
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秩父 重英
筑波大学物理工学系
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
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北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
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中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
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宗田 孝之
早稲田大学
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竹内 淳
早稲田大 理工
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DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
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奥村 元
産業技術総合研
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Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
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Denbaars Steven
Materials Department University Of California
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Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
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秩父 重英
筑波大物工
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中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
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DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
著作論文
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 18aA02 立方晶III族窒化物MBEエピタキシャル成長における構造欠陥の発生と制御(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)