中村 修二 | Jst-erato中村pj:ucsb

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概要

• 同名の論文著者
• Jst-erato中村pj:ucsbの論文著者

関連著者

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 中村 修二

  Jst-erato中村pj:ucsb

• 中村 修二

  日亜化学工業

• 宗田 孝之

  早大理工

• 鈴木 克生

  早大理工

• 小豆畑 敬

  早大理工

• 宗田 孝之

  早稲田大学

• DENBAARS Steven

  Electrical and Computer Engineering Department, University of California

• Denbaars Steven

  Jst-erato中村pj:ucsb

• Denbaars Steven

  Materials Department University Of California

• 秩父 重英

  筑波大物工

• 尾沼 猛儀

  東北大学多元物質科学研究所

• 羽豆 耕治

  東北大学多元物質科学研究所

• 八木 駿郎

  北大電子研

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産総研

• 山口 雅史

  北大工

• 羽豆 耕治

  早大理工

• 秩父 重英

  筑波大学物理工学系

• 黒田 剛正

  早稲田大学理工学部

• 尾沼 猛儀

  筑波大学物理工学系

• 北村 寿朗

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 竹内 淳

  早稲田大学理工学部

• DenBaars Steven

  Department of Materials Engineering, University of California

• 中村 修二

  科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト

• 秩父 重英

  東理大理工&UCSB

• 竹内 淳

  早稲田大 理工

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 北村 寿朗

  東理大

• Denbaars Steven

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California

• DenBaars Steven

  Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.

• 足立 智

  京大理

• 向井 孝志

  日亜化学工業

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)第二部門開発部

• 和田 一実

  マサチューセッツ工科大

• 和田 一実

  マサチューセッツ工科大学材料理工学科

• 高木 康成

  電通大・電子物性

• 山口 雅史

  北大電子研

• 高木 康成

  電通大電子物性

• エヘティ ムフタル

  電通大・電子物性

• 秩父 重英

  筑波大物理工

• 池田 大勝

  早大理工

• 大島 進

  早大理工

• 秩父 重英

  筑波大電子・物理工&21COE

• Haskell B.A.

  JST-ERATO中村PJ

• Speck J.S.

  JST-ERATO中村PJ

• DenBaars S.P.

  JST-ERATO中村PJ

• 中村 修二

  JST-ERATO中村PJ

• 足立 智

  北大工

• 鹿内 周

  早大理工

• 出口 隆弘

  早大理工

• 島田 和宏

  早大理工

• 秩父 重英

  カリフォルニア大学材料学科

• 幸前 篤朗

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 村下 達

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小豆畑 敬

  早大・理工

• 宗田 孝之

  早大・理工

• 鈴木 克生

  早大・理工

• 松永 知道

  早大理工

• 真野 匡司

  早大理工

• Yagi T

  Hokkaido Univ. Sapporo

• Speck J.s.

  Jst-erato中村pj:ucsb

• Haskell B.a.

  Jst-erato中村pj:ucsb

• エヘティ ムフタル

  電通大、電子物性

• 向井 孝志

  日亜化学

• 足立 智

  京都大学:日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

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著作論文

• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 28aPS-18 c面およびa面GaNにおける励起子の緩和ダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
• 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
• カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
• 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
• 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
• 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
• 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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