中村 修二 | 日亜化学工業

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概要

• 同名の論文著者
• 日亜化学工業の論文著者

関連著者

• 中村 修二

  日亜化学工業

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)第二部門開発部

• 中村 修二

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)開発部

• 成川 幸男

  日亜化学工業

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 川上 養一

  京都大学大学院工学研究科

• 成川 幸男

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属

• Fujita Shigetaka

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 藤田 静雄

  京都大学大学院

• 藤田 静雄

  京大 国際融合創造セ

• 中村 修二

  Jst-erato中村pj:ucsb

• 鈴木 克生

  早大理工

• 藤田 静雄

  京都大学国際融合創造センター

• 宗田 孝之

  早大理工

• 藤本 正克

  山口県工業技術センター

• 小豆畑 敬

  早大理工

• 向井 孝志

  日亜化学工業

• 四宮 源市

  日亜化学工業

• 澤田 憲

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 向井 孝志

  日亜化学

• 藤本 正克

  山口県産業技術センター

• 川上 養一

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 黒田 尚義

  東京工科大学

• 造田 安民

  東京工科大学

• 山田 陽一

  山口大工

• 田口 常正

  山口大工

• 福井 一俊

  福井大工

• 八木 駿郎

  北大電子研

• 青柳 克信

  理研

• 藤田 茂夫

  京都大学工学部

• 直江 俊一

  金沢大工

• 平井 亮介

  福井大工

• 田中 悟

  理研半導体工学研究室

• 山口 雅史

  北大工

• 山田 陽一

  電気電子工学科

• 田口 常正

  電気電子工学科

• 秩父 重英

  東理大理工&UCSB

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 岡本 晃一

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ

• 岡本 晃一

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 山本 〓勇

  福井大工

• 成川 幸男

  京都大学工学研究科電子物性工学

• 泉 知明

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学

• 岡本 晃一

  京都大学Venture Business Laboratory

• 山口 栄雄

  神奈川大工:神奈川大hrc

• 川上 養一

  京都大学工学研究科

• 足立 智

  京大理

• 島野 亮

  東大理

• 工藤 広光

  山口大工

• 羽豆 耕治

  東北大学多元物質科学研究所

• 小林 俊介

  電総研

• 柊元 宏

  凸版印刷株式会社

• 出浦 桃子

  東京大学大学院

• 上田 修

  金沢工業大学大学院

• 森 雅彦

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 和田 一実

  マサチューセッツ工科大

• 和田 一実

  マサチューセッツ工科大学材料理工学科

• 佐々木 史雄

  電総研

• 高木 康成

  電通大・電子物性

• 永井 正也

  東大工

• 島野 亮

  東大工

• 五神 真

  東大工

• Fujita Shiz

  Kyoto Univ. Kyoto Jpn

• 上浦 洋一

  岡山大院・産業創成工学

• 上田 修

  金沢工業大学

• 山口 雅史

  北大電子研

• 青木 隆朗

  東大工

• 高木 康成

  電通大電子物性

• エヘティ ムフタル

  電通大・電子物性

• 秩父 重英

  筑波大物理工

• 上浦 洋一

  岡山大工

• 川上 養一

  京都大学・工学研究科・電子工学専攻

• 山田 陽一

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 青木 隆朗

  京大理

• 谷 俊朗

  電子技術総合研究所

• 羽豆 耕治

  早大理工

• 足立 智

  北大工

• 鹿内 周

  早大理工

• 出口 隆弘

  早大理工

• 島田 和宏

  早大理工

• 秩父 重英

  カリフォルニア大学材料学科

• 幸前 篤朗

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 村下 達

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小豆畑 敬

  早大・理工

• 宗田 孝之

  早大・理工

• 鈴木 克生

  早大・理工

• 松永 知道

  早大理工

• 真野 匡司

  早大理工

• 宗田 孝之

  早稲田大学

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 桑田 真

  東京大学大学院 工学系研究科

• 藤田 静雄

  京都大学工学部電気工学教室

• 谷 俊朗

  電総研

• MOHS G.

  東大工

• Yagi T

  Hokkaido Univ. Sapporo

• 長浜 慎一

  日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所

• 谷俊 朗

  共生科学技術研究院

• 川上 養一

  京都大学 工学研究科電子工学専攻

• 藤田 静雄

  京大国際融合総合センタ

• 藤田 静雄

  京都大学 国際融合創造センター

• エヘティ ムフタル

  電通大、電子物性

• 大前 邦途

  京都大学工学研究科電子物性工学

• 成川 幸男

  京都大学・工学研究所

• 藤田 茂夫

  京都大学・工学研究所

• 中村 修二

  日亜科学工業・開発部

• 澤田 憲

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 西條 慎

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 山口 栄雄

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 山口 栄雄

  京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• 須田 淳

  京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• 成川 幸男

  京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• 藤田 茂夫

  京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• MOHS Georg

  東大工

• 山下 善文

  岡山大工

• 工藤 広光

  大学院電気電子工学

• G Mohs

  東大工

• 山下 善文

  岡山大院・産業創成工学

• 山田 孝夫

  日亜化学工業

• 松下 俊雄

  日亜化学工業(株)

• 長浜 慎一

  日亜化学工業 窒化物半導体研

• 妹尾 雅之

  日亜化学工業株式会社

• 前田 貴志

  山口大学工学部

• 中村 修二

  カリフォルニア大学

• 岩佐 成人

  日亜化学工業株式会社

• 清久 裕之

  日亜化学工業株式会社

• 杉本 康宜

  日亜化学工業株式会社

• 長浜 慎一

  日亜化学工業株式会社

• 松下 俊雄

  日亜化学工業

• 藤田 静雄

  京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター

• 足立 智

  京都大学:日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 川上 養一

  京都大学 工学研究科 電子工学専攻

• 山田 孝夫

  日亜化学工業株式会社

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科

• 長浜 慎一

  日亜化学工業

• 杉本 康宜

  日亜化学工業(株)

• 森 雅彦

  独立行政法人 産業技術総合研究所

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著作論文

• GaN青色LED, LD実現への歩み : 米国からのメッセージとともに
• 31a-ZS-10 InGaNSQw青及び緑色LEDのC-V特性(III) : Poole-Frenkel効果
• 31a-ZS-9 InGaNSQW青及び緑色LEDのC-V特性(II) : 定量的解析
• 窒化物系青, 緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• 31p-K-2 InGaN SQW緑色LEDの高電流注入効果
• 青色発光ダイオードとレーザ : その発展とインパクト
• 2-4 LEDフルカラーディスプレイ( ディスプレイ技術の最近の進歩)
• 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
• 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
• カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
• 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
• 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
• 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
• 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
• 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
• 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
• 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
• InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
• InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
• 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
• 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
• 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
• InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
• InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
• InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
• InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
• III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
• III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
• 紫色InGaN系レーザーのダイオードの進展
• 青色発光デバイス開発における創造性 (私の研究生活事始め)
• 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
• INTERVIEW:夢の成就 -青色LED,LDの開発-
• 青色発光デバイス研究開発における創造性
• 植物工場用青色LED, LDの現状と将来
• 青色レーザー開発からの教訓
• InGaN SQW 青色 LED の再結合発光におけるホットエレクトロン効果
• 6a-E-10 窒化物系半導体による青色発光ダイオードとレーザーの開発
• 6a-E-9 InGaN多重量子井戸のゲイン特性
• GaN系室温CWレーザーダイオード
• 室温CW青紫色InGaN系レーザーダイオード
• 28p-S-1 InGaNエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光 : 高効率青色発光の起源
• 青色発光ダイオードとレーザ : その発展とインパクト
• 青色レーザーの現状
• InGaN系青紫色半導体レーザー
• InGaN系青紫色半導体レーザー
• InGaN/GaN/AlGaN系紫色半導体レーザーの現状と展望
• InGaN 青色 LED の連続発光およびパルス発光特性
• GaN系高輝度LEDとレ-ザ-への展開 (緑青色レ-ザ-)
• 室温パルス発振青紫色窒化物半導体レーザ
• InGaN青色LEDの発光機構
• GaN系発光素子の現状と将来
• InGaN系III-V族LEDの進展と半導体レーザー
• 青色発光ダイオードの開発
• 有機金属気相成長法
• 白色および紫外LED
• 青色LEDとレーザーの開発
• 日亜化学の青色デバイス開発物語
• GaN系LEDの現状と将来
• 青色発光ダイオ-ド開発物語
• 正念場迎える「青色デバイス開発」 (特集:20世紀最後の5年間のキ-テクノロジ-(2)ニュ-マルチメディアの動向と技術開発の方向)
• 高輝度青色発光ダイオ-ド
• GaN系高輝度青色LED
• 30p-YC-2 高輝度InGaN青色発光ダイオードの開発と水素の役割
• InGaN青色LEDとレーザーへの可能性
• 青色半導体レ-ザはどこまで可能か?--短波長LEDからLDへの挑戦 (90年代後半のエレクトロニクス・ニュ-ウェ-ブ--20世紀最後の5年間,何のテ-マに注目したらよいか?)
• InGaN/AlGaN発光ダイオ-ドの現状と性能向上
• 高輝度青色LED結晶の育成 : 招待講演
• フルカラ-表示ディスプレイ等に画期的インパクト--青色LEDも1cd(カンデラ)時代--100倍の高輝度をどう達成したか?青緑なら2cdも達成 (マルチメディア時代のキ-デバイス--青色デバイス革命) -- (青色LED編)
• InGaN 青色発光ダイオード ( 光応用技術 2.)

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