山田 陽一 | 山口大学工学部
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概要
関連著者
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山田 陽一
山口大学工学部
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田口 常正
山口大学工学部
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(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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杉田 泰一
山口大学工学部
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杉田 泰一
大学院電気電子工学
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工藤 広光
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(株)ジャパンエナジー精製技術センター:(現)住友化学工業(株)
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(株)ジャパンエナジー中央研究所
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小田 修
(株)ジャパンエナジー中央研究所
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渡辺 英史
大学院電気電子工学
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大学院電気電子工学
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内田 章
山口大学工学部電気電子工学科
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山田 陽一
山口大学
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小田 修
名古屋工業大学
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中村 修二
日亜化学工業
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藤本 正克
山口県工業技術センター
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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金光 義彦
奈良先端大物質
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櫛田 孝司
奈良先端大
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櫛田 孝司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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金光 義彦
奈良先端大物質創成:京大化研
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永井 武彦
奈良先端大学物質創成科学研究科
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只友 一行
山口大学工学部電気電子工学科
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横畑 彰人
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甲斐荘 敬司
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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横畑 彰人
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安藤 剛
山口大学工学部
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山口大学工学部
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藤本 正克
山口県産業技術センター
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田村 哲志
山口大学
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永井 武彦
奈良先端大物質創成
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前田 貴志
山口大学工学部
著作論文
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
- ワイドギャップ化合物半導体の励起子多体効果によるレーザー発振の物理的機構
- 126. CdZnS半導体量子井戸の励起子分子による紫外発光((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_S混晶薄膜の成長(気相成長II)
- ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
- 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- II-VI族半導体の励起子系光物性 : ZnS系半導体からの紫外発光
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
- RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
- InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
- InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
- InGaN青色LEDの発光機構
- 146. 紫外LED励起によるZnS系蛍光体を用いた白色光源の特性評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)