田口 常正 | 山口大学大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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田口 常正
山口大学大学院理工学研究科
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田口 常正
山口大学 工学部
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田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
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田口 常正
山口大学工学部
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倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
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倉井 聡
山口大学工学部
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田口 常正
山口大学大学院
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小橋 克哉
山口大学
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内田 裕士
山口大学工学部
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作田 寛明
山口大学工学部
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小橋 克哉
山口大学工学部
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山田 陽一
山口大 工
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山田 陽一
山口大学工学部
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河野 裕
山口大学工学部電気電子工学科
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山中 良友
山口大学工学部
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岩田 史郎
山口大学工学部電気電子工学科
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瀬戸本 龍海
山口大学
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田村 哲志
山口大学
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瀬戸本 龍海
(株)山陽ハイテック
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田口 常正
山口大工
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福井 剛
山口大学大学院理工学研究科
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山田 陽一
山口大学 工学部
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藤井 智
山口大学大学院理工学研究科
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倉井 聡
山口大工
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只友 一行
山口大学工学部電気電子工学科
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岸本 祐子
山口大VBL
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河野 裕
山口大工
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作田 寛明
山口大工
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岩田 史郎
山口大工
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山田 陽一
山口大学
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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神野 雅文
愛媛大学大学院理工学研究科電子情報工学専攻
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加門 邦人
山口大学大学院理工学研究科
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竹下 淳一
山口大学工学部
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宮地 努
山口大学大学院理工学研究科
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久保 秀一
徳島大工
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柳井 秀雄
独立行政法人国立病院機構関門医療センター 臨床研究部
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大田 正人
芝浦工業大学工学部応用化学科
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吉村 和正
山口大学
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田口 常正
山口大学電気電子工学科
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山田 健一
松下電工株式会社
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柳井 秀雄
独立行政法人国立病院機構 関門医療センター 消化器科
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大田 正人
芝浦工業大学工学部
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安池 優明
山口大学工学部
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小西 将史
山口大工
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甲斐荘 敬司
ジャパンエナジー精製技術センター
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横畑 彰人
ジャパンエナジー精製技術センター
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甲斐荘 敬司
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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井上 孝行
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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横畑 彰人
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
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工藤 広光
山口大学工学部
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井上 孝行
(株)ジャパンエナジー精製技術センター:(現)住友化学工業(株)
著作論文
- 直接フリップチップ接合を用いた蛍光体変換型LEDの発光効率の実装密度依存性
- ワイドギャップ化合物半導体の励起子多体効果によるレーザー発振の物理的機構
- 山口大学大学院理工学研究科物質工学専攻田口研究室(研究室訪問)
- セラミック基板上に直接フリップチップ接合された白色LED光源の信頼性評価法
- 第1回白色LEDと固体照明国際会議報告(照明国際会議)
- InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
- AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
- 169.医療用白色LED光源の画像特性((12)新しい光応用関連分野)
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 放射強度分布関数を用いた分離型蛍光式白色発光ダイオード多点光源による直射照明下での照明特性の理論的考察
- LED照明の医療分野への応用(LED照明の実際)
- 高演色性白色LED照明用蛍光体の研究開発動向 (特集1 LED蛍光体の材料および発光特性--高演色性白色LED照明への応用)
- 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 白色LED照明環境特別研究委員会
- S-1.どうなる?どうする! : LED光源の効率(どうなる?どうする!LED照明ソフト&ハード)
- Ca(Eu_La_x)_4Si_3O_赤色蛍光体の開発と3波長形白色LEDへの応用
- CS-3-4 環境にやさしい白色LED照明システム技術(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
- CS-3-4 環境にやさしい白色LED照明システム技術(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
- 白色LEDが一般照明用光源として本格普及するには
- CS-5-2 地球環境にやさしい白色LED照明システム(C-5. (地球)環境と光エレクトロニクス,シンポジウムセッション)
- LED照明の発光原理(LEDの可能性と課題)
- 最新の白色LED照明技術の国際競争力と市場展望
- 白色LED照明技術の展望と市場動向 (特集 身近にある光源の進歩)
- 白色LED照明に関する第1回国際会議開催(今日の課題)
- 近紫外励起高演色白色LED照明デバイスの最新研究動向 (特集1 LEDとディスプレイ)
- 白色LED照明による省エネルギー技術の現状と将来展望
- 新材料部会講演会 白色LEDの最新開発動向と今後の展望
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 白色LED照明の医療応用 (特集 白色LED照明の最新技術動向)
- 白色LED照明技術の展望 (特集 白色LED照明の最新技術動向)
- 高効率・高演色性新型白色LED照明の実用化 (特集 高輝度LEDとその応用)
- 白色LED光源の医療応用--高効率・高演色性白色LEDを用いた医療用光源の開発
- SB-5-4 照明用高効率白色 LED ランプと電源回路の現状と技術動向
- 129. 高効率・高演色性白色 LED を用いた医療用光源の開発
- 141.高光度白色LED光源を用いたバックライト式照明装置の開発と評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 140.新しい白色蛍光体を用いた高演色白色LEDの特性評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
- C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
- 21aYC-2 InAlGaN 四元混晶薄膜の結晶性と発光特性
- RF-MBE法によるInAlGaN四元混晶薄膜の結晶成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 147. 高密度白色・有色LED照明の視覚空間における光源配置の最適化((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- LED照明の技術動向 (特集 LED照明の最近の動向)
- 137. LED 照明に最適な多面光源と放射輝度分布
- 白色LED光源を用いた省エネルギー型太陽電池式街灯の開発と照度特性の評価
- 多点光源照度計算法による白色LED照明光源の特性評価
- 21世紀の照明光源--白色発光LED (特集 21世紀を照らすLED)
- 電球,蛍光ランプに代わる白色発光ダイオード (特集 光エレクトロニクスの現状と将来)
- 発光ダイオードの開発動向 (特集 エネルギー変換材料の技術動向) -- (光・電変換材料)
- LED照明の最新技術と展望 (特集 高輝度と省エネルギーが照明に革命をもたらす LED照明技術の最新動向(Part2))
- InGaN系半導体白色LEDを用いた照明用光源の基礎特性
- InGaN系半導体白色LEDを用いた照明用光源の基礎特性
- 146. 紫外LED励起によるZnS系蛍光体を用いた白色光源の特性評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- S-1. 総論 : LEDs が拓く照明技術、産業、教育の変革