高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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RF-MBE法により作製したInGaN極薄膜(3nm)中のIn原子の熱拡散について、高分解能ラザフォード後方散乱法を用いて直接的に深さ方向In組成分布を観測することにより、評価を行った。その結果、875℃で熱処理を行うことにより、InGaN極薄膜が分解することが分かった。GaNキャップ層を堆積することにより、InGaN極薄膜の分解は抑制されたが、InGaN層厚の増加と同時に、GaNキャップ層厚の減少が確認された。これはGaNキャップ層へのIn原子の拡散が生じたことを示唆しており、これよりIn原子のGaN中拡散係数はおおよそ3.8×10^<-18>cm^2/sと見積もられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
田口 常正
山口大学大学院理工学研究科
-
倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
-
田口 常正
山口大学工学部
-
倉井 聡
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
-
作田 寛明
山口大学工学部
-
山中 良友
山口大学工学部
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