RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
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概要
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RF-MBE法によるGaN薄膜成長に関して,成長初期過程における窒化条件及び低温GaNバッファ層の成長条件と,成長終了後の降温条件を変化させた成長膜の特性評価を行った。AFM測定より,サファイア基板の窒化処理を30分間行ったときのGaN薄膜の表面が最も平坦化することが分かった。また,PL 測定結果より,低温GaNバッファ層を成長温度550℃,成長時間10分で堆積したとき,励起子系の発光強度が最も強く,発光半値幅が最も狭いGaN薄膜が得られた。一方,成長終了後の降温過程では,窒素プラズマを照射しながら降温した場合には成長膜の表面荒れが抑制され,良好な光学特性を有する薄膜が得られることが分かった。これは,窒素ラジカル照射によりGaNからの窒素離脱が抑制されたことに起因するものであると考えられる。
- 山口大学の論文
著者
-
倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
-
久保 秀一
徳島大工
-
山田 陽一
電気電子工学科
-
田口 常正
電気電子工学科
-
河辺 章
大学院電気電子工学
-
杉田 泰一
大学院電気電子工学
-
久保 秀一
大学院電気電子工学
-
倉井 聡
電気電子工学科
-
山田 陽一
山口大 工
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