山田 陽一 | 山口大 工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
山田 陽一
山口大 工
-
山田 陽一
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
-
倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
-
田口 常正
山口大学大学院理工学研究科
-
倉井 聡
山口大学工学部
-
久保 秀一
徳島大工
-
吉村 和正
山口大学
-
井上 孝行
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
-
井上 孝行
(株)ジャパンエナジー精製技術センター:(現)住友化学工業(株)
-
山田 陽一
山口大・工
-
中村 成志
山口大学工学部
-
吉村 和正
山口大学工学部
-
山田 陽一
電気電子工学科
-
田口 常正
電気電子工学科
-
関 洋二
ジャパンエナジー
-
河辺 章
大学院電気電子工学
-
久保 秀一
山口大学工学部
-
関 洋二
(株)ジャパンエナジー中央研究所
-
小田 修
(株)ジャパンエナジー中央研究所
-
岡崎 智一
山口大学工学部
-
杉田 泰一
大学院電気電子工学
-
小田 修
名古屋工業大学
-
山田 陽一
山口大工
-
田口 常正
山口大工
-
工藤 広光
山口大・工
-
田口 常正
山口大・工
-
金光 義彦
奈良先端大物質
-
櫛田 孝司
奈良先端大
-
櫛田 孝司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
金光 義彦
奈良先端大物質創成:京大化研
-
永井 武彦
奈良先端大学物質創成科学研究科
-
山田 陽一
山口大学 工学部
-
田口 常正
山口大学 工学部
-
只友 一行
山口大学工学部電気電子工学科
-
倉井 聡
山口大・工
-
甲斐荘 敬司
ジャパンエナジー精製技術センター
-
横畑 彰人
ジャパンエナジー精製技術センター
-
甲斐荘 敬司
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
-
横畑 彰人
(株)ジャパンエナジー精製技術センター
-
安藤 剛
山口大学工学部
-
田中 重行
山口大学工学部
-
岡崎 智一
山口大
-
真鍋 茂樹
山口大
-
真鍋 茂樹
山口大学工学部
-
河辺 章
山口大学工学部
-
杉田 泰一
山口大学工学部
-
千田 和彦
大学院電気電子工学
-
岸野 雅樹
大学院物質工学
-
重松 弘
大学院電気電子工学
-
藤本 正克
大学院物質工学
-
久保 秀一
大学院電気電子工学
-
倉井 聡
電気電子工学科
-
田村 哲志
山口大・工
-
田口 常正
山口大 大学院
-
藤本 正克
山口県産業技術センター
-
田村 哲志
山口大学
-
永井 武彦
奈良先端大物質創成
-
山田 陽一
山口大学
著作論文
- 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
- ワイドギャップ化合物半導体の励起子多体効果によるレーザー発振の物理的機構
- 126. CdZnS半導体量子井戸の励起子分子による紫外発光((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_S混晶薄膜の成長(気相成長II)
- InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
- AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
- 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- In_xGa_1-xN/GaN 多重量子井戸構造におけるストークスシフトの温度依存性
- Cd_xZn_1-xS/ZnS/Mg_yZn_1-yS 分離閉じ込めヘテロ構造における励起子分子の発光特性
- II-VI族半導体の励起子系光物性 : ZnS系半導体からの紫外発光
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- GaN薄膜の光学特性におけるSi添加効果
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
- 22aB5 RF-MBE法によるGaN薄膜のホモエピタキシャル成長および特性評価(気相成長I)
- RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
- ZnTe_xSe_ 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
- RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
- Gan系紫外LEDの高効率発光機構