22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_<1-X>S混晶薄膜の成長(気相成長II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Mg_XZn_<1-X>S mixed mms with the zincblende structure have been grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition system using bis (cyclopentadienyl) magnesium as a Mg source. With increasing Mg composition up to about 0.4, the main Uv emission band moves towards higher energy side in addition to an increase in its linewidth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
関連論文
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
- ワイドギャップ化合物半導体の励起子多体効果によるレーザー発振の物理的機構
- 126. CdZnS半導体量子井戸の励起子分子による紫外発光((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_S混晶薄膜の成長(気相成長II)
- CdZnS量子井戸の励起子分子による紫外誘導放出
- ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
- Cd_xZn_S-ZnS 量子井戸構造における励起子分子の関与したレーザ発振機構
- InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
- AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- LED照明の医療分野への応用(LED照明の実際)
- 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- S-1.どうなる?どうする! : LED光源の効率(どうなる?どうする!LED照明ソフト&ハード)
- 白色LED照明に関する第1回国際会議開催(今日の課題)
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- SB-5-4 照明用高効率白色 LED ランプと電源回路の現状と技術動向
- 140.新しい白色蛍光体を用いた高演色白色LEDの特性評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
- C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
- RF-MBE法によるバルクGaN単結晶N面上へのGa極性GaN薄膜の成長 : エピキタシャル成長II
- S-3. 紫外LEDを用いた白色LEDの開発
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- In_xGa_1-xN/GaN 多重量子井戸構造におけるストークスシフトの温度依存性
- Cd_xZn_1-xS/ZnS/Mg_yZn_1-yS 分離閉じ込めヘテロ構造における励起子分子の発光特性
- II-VI族半導体の励起子系光物性 : ZnS系半導体からの紫外発光
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- GaN薄膜の光学特性におけるSi添加効果
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
- 22aB5 RF-MBE法によるGaN薄膜のホモエピタキシャル成長および特性評価(気相成長I)
- RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
- ZnTe_xSe_ 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
- RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
- Gan系紫外LEDの高効率発光機構
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 146. In_xGa_N紫外LEDとZnS-,Y-,Sr-系蛍光体を用いた白色LEDの発光特性((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 139. In_xGa_N紫外LED励起によるY,Sr,ZnS系白色蛍光体の発光特性((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 139.集積化LED光源の配光特性((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 151. 太陽光発電を用いた省エネ型LEDサインパネルの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 149. LEDの装飾用光源への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 148. 高輝度白色LEDを用いた一般照明用光源の評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- 137. LED 照明に最適な多面光源と放射輝度分布
- 54.有色多点光源計算を用いた3波長LEDの照明特性((4)照明理論)
- 57. LED光源の近傍距離での光度の理論的考察((4)照明理論)
- 47. 多点光源照度計算法を用いた白色LED照明器具設計((4)証明理論)
- 近紫外発光デバイスの応用
- 21世紀のあかりプロジェクトと白色発光ダイオード光源の開発^*
- LED光源
- 青色半導体レーザー小特集号の発行にあたって
- ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
- InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
- InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
- InGaN青色LEDの発光機構
- アンモニアソースMBE法によるGaN成長と結晶性評価 : エピタキシャル成長I
- LEDディスプレイ(ディスプレイ用光源及びデバイスの最新技術)
- 白色発光ダイオードの開発と照明光源への応用
- 白色LED照明技術による"21世紀のあかり"国家プロジェクト
- 白色発光ダイオードによる次世代照明技術
- 白色LEDによる21世紀のあかり (中国支部特集号)
- 化合物半導体
- GaN系発光ダイオードの発光メカニズム(東京支部特集号)
- II-VI族化合物半導体の物性と青色発光素子
- 150. 白色LEDを用いた省エネ型太陽電池式街灯の開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 140. 白色LEDを用いた太陽発電照明システムの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 123. InGaN白色LEDの照明への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
- 146. 紫外LED励起によるZnS系蛍光体を用いた白色光源の特性評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)