ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
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概要
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減圧MOCVD法により作製したCd_xZn_<1-x>S-ZnS多重量子井戸構造に関して、混晶量子井戸層の組成比および井戸幅を変化させた一連の試料に対して、誘導放出光スペクトルの温度依存性の測定を行った。誘導放出機構および誘導放出に対するしきい励起パワー密度は、組成比に強く依存し、井戸幅にはほとんど無関係であることがわかった。また、キャリアの閉じ込め効果が大きい試料において、励起子分子による誘導放出が240Kまで生じている可能性があることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-05
著者
-
吉村 和正
山口大学
-
山田 陽一
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大学工学部
-
吉村 和正
山口大学工学部
-
渡辺 英史
山口大学工学部電気電子工学科
-
田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
-
渡辺 英史
大学院電気電子工学
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