RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
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概要
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RF-MBE法によるGaN成長において, 結晶成長終了後の降温条件を変化させ成長膜の特性評価を行った.AFM像の観察から, 高真空中あるいは窒素供給を行いながら降温した場合には, 結晶表面の平坦性が悪く, 窒素プラズマを照射しながら降温した場合には表面の荒れが抑えられていることが分かった.PL測定の結果, 降温時の窒素プラズマ照射により, エキシトン系発光の強度が増し, 深い準位からの発光が抑えられた良好なスペクトルが得られた.窒素ラジカル照射によりGaNからの窒素脱離が抑制され, それに伴い発光特性が改善されていることが示唆された.
- 1998-11-06
著者
-
倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
-
久保 秀一
徳島大工
-
山田 陽一
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大学工学部
-
倉井 聡
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大学工学部電気電子工学科
-
河辺 章
大学院電気電子工学
-
久保 秀一
山口大学工学部
-
河辺 章
山口大学工学部
-
杉田 泰一
山口大学工学部
-
杉田 泰一
大学院電気電子工学
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