RF-MBE法によるバルクGaN単結晶基板上への量子井戸構造の作製
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 直接フリップチップ接合を用いた蛍光体変換型LEDの発光効率の実装密度依存性
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- 共通教育物理実験におけるマルチメディア教材導入の実践報告
- 13pXE-12 物理学実験授業における Web ラーニング教材の活用(物理教育 : 教材研究・開発, 領域 13)
- セラミック基板上に直接フリップチップ接合された白色LED光源の信頼性評価法
- 第1回白色LEDと固体照明国際会議報告(照明国際会議)
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
- 21aYC-2 InAlGaN 四元混晶薄膜の結晶性と発光特性
- RF-MBE法によるInAlGaN四元混晶薄膜の結晶成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- RF-MBE法によるバルクGaN単結晶N面上へのGa極性GaN薄膜の成長 : エピキタシャル成長II
- MBE 成長におけるGaN 薄膜の極性制御
- RF-MBE法によるGaNバルク単結晶基板上へのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸構造の作製 : エピキタシャル成長II
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
- 22aB5 RF-MBE法によるGaN薄膜のホモエピタキシャル成長および特性評価(気相成長I)
- RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
- RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
- RF-MBE法によるInGaN薄膜成長とラザフォード後方散乱法による評価
- RF-MBE法によるバルクGaN単結晶基板上への量子井戸構造の作製
- RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
- アンモニアソースMBE法によるGaN成長と結晶性評価 : エピタキシャル成長I
- RF-MBE法ホモエピタキシャル成長におけるGaN基板の成長前表面処理