22aB5 RF-MBE法によるGaN薄膜のホモエピタキシャル成長および特性評価(気相成長I)
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概要
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We have performed the growth of homoepitaxial GaN to overcome the problems concerning with hetero interface, which prevents growing high quality GaN film by MBE. A mirror-like surface and an emission of radiative recombination of free excitons were observed in homoepitaxial GaN by optical microscope and photoluminescence measurement, respectively. These results indicated that high quality GaN film could be grown by MBE using homoepitaxial growth technique.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
山田 陽一
山口大工
-
田口 常正
山口大工
-
山田 陽一
山口大・工
-
倉井 聡
山口大学大学院理工学研究科
-
久保 秀一
徳島大工
-
久保 秀一
山口大学工学部
-
倉井 聡
山口大・工
-
岡崎 智一
山口大
-
真鍋 茂樹
山口大
-
岡崎 智一
山口大学工学部
-
田口 常正
山口大 大学院
-
山田 陽一
山口大 工
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