圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(<特集>21世紀を担うバルク単結晶)

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概要

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• In the present paper, we discussed the importance of bulk GaN substrates for GaN based LEDs and LDs. For growing bulk GaN single crystals, we studied the pressure-controlled solution growth (PC-SG) method under " the Light for the 21st Century" Japanese national project. The recent results obtained by this method are presented. The maximum size of grown single crystals was 12 mm in diameter. It was shown that high quality GaN substrates, with low dislocation densities of the level of less than 2×10^5 cm^<-2> can be obtained.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-15

著者

• 倉井 聡

  山口大学大学院理工学研究科

• 山田 陽一

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 倉井 聡

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 関 洋二

  ジャパンエナジー

• 井上 孝行

  (株)ジャパンエナジー精製技術センター

• 関 洋二

  (株)ジャパンエナジー中央研究所

• 小田 修

  (株)ジャパンエナジー中央研究所

• 井上 孝行

  (株)ジャパンエナジー精製技術センター:(現)住友化学工業(株)

• 山田 陽一

  山口大 工

• 小田 修

  名古屋工業大学

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