139.集積化LED光源の配光特性((9)光関連デバイス・ディスプレイ)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人照明学会の論文
• 2002-08-07

著者

• 内田 裕士

  山口大学工学部

• 小橋 克哉

  山口大学

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 森 哲

  山口大学工学部

• 小橋 克哉

  山口大学工学部

関連論文

• 直接フリップチップ接合を用いた蛍光体変換型LEDの発光効率の実装密度依存性
• RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
• 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
• 126. CdZnS半導体量子井戸の励起子分子による紫外発光((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 22aB8 減圧有機金属気相成長法によるMg_XZn_S混晶薄膜の成長(気相成長II)
• ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
• セラミック基板上に直接フリップチップ接合された白色LED光源の信頼性評価法
• 169.医療用白色LED光源の画像特性((12)新しい光応用関連分野)
• 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 放射強度分布関数を用いた分離型蛍光式白色発光ダイオード多点光源による直射照明下での照明特性の理論的考察
• LED照明の医療分野への応用(LED照明の実際)
• 近紫外発光ダイオｰド(LED)のナノ構造制御による白色LED
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• S-1.どうなる?どうする! : LED光源の効率(どうなる?どうする!LED照明ソフト&ハード)
• 白色LED照明に関する第1回国際会議開催(今日の課題)
• 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 白色LED照明の医療応用 (特集 白色LED照明の最新技術動向)
• 白色LED光源の医療応用--高効率・高演色性白色LEDを用いた医療用光源の開発
• SB-5-4 照明用高効率白色 LED ランプと電源回路の現状と技術動向
• 129. 高効率・高演色性白色 LED を用いた医療用光源の開発
• 141.高光度白色LED光源を用いたバックライト式照明装置の開発と評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 140.新しい白色蛍光体を用いた高演色白色LEDの特性評価((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
• C-6-9 RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のInの熱的挙動(C-6.電子部品・材料)
• RF-MBE法によるバルクGaN単結晶N面上へのGa極性GaN薄膜の成長 : エピキタシャル成長II
• S-3. 紫外LEDを用いた白色LEDの開発
• 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
• 24aB8 圧力制御溶液成長法によるバルクGaN単結晶の育成(バルク成長VII)
• 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
• RF-MBE法によるGaN薄膜のヘテロおよびホモエピタキシャル成長
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 146. In_xGa_N紫外LEDとZnS-,Y-,Sr-系蛍光体を用いた白色LEDの発光特性((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 139. In_xGa_N紫外LED励起によるY,Sr,ZnS系白色蛍光体の発光特性((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 139.集積化LED光源の配光特性((9)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 解説 高輝度白色LED多点光源の照明システムへの応用
• 151. 太陽光発電を用いた省エネ型LEDサインパネルの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 149. LEDの装飾用光源への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 148. 高輝度白色LEDを用いた一般照明用光源の評価((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 147. 高密度白色・有色LED照明の視覚空間における光源配置の最適化((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• RF-MBE成長GaNエピ薄膜の窒素ラジカル照射による結晶性・光学特性の改善
• 137. LED 照明に最適な多面光源と放射輝度分布
• 54.有色多点光源計算を用いた3波長LEDの照明特性((4)照明理論)
• 57. LED光源の近傍距離での光度の理論的考察((4)照明理論)
• 白色LED光源を用いた省エネルギー型太陽電池式街灯の開発と照度特性の評価
• 多点光源照度計算法による白色LED照明光源の特性評価
• 47. 多点光源照度計算法を用いた白色LED照明器具設計((4)証明理論)
• 近紫外発光デバイスの応用
• 21世紀のあかりプロジェクトと白色発光ダイオード光源の開発^*
• LED光源
• 青色半導体レーザー小特集号の発行にあたって
• ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性
• InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
• InGaN SQW発光ダイオードの混晶活性層のELとPL特性
• InGaN青色LEDの発光機構
• アンモニアソースMBE法によるGaN成長と結晶性評価 : エピタキシャル成長I
• LEDディスプレイ(ディスプレイ用光源及びデバイスの最新技術)
• 白色発光ダイオードの開発と照明光源への応用
• 白色LED照明技術による"21世紀のあかり"国家プロジェクト
• 白色発光ダイオードによる次世代照明技術
• 白色LEDによる21世紀のあかり (中国支部特集号)
• 化合物半導体
• GaN系発光ダイオードの発光メカニズム(東京支部特集号)
• II-VI族化合物半導体の物性と青色発光素子
• 150. 白色LEDを用いた省エネ型太陽電池式街灯の開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 140. 白色LEDを用いた太陽発電照明システムの開発((8)光関連デバイス・ディスプレイ)
• 123. InGaN白色LEDの照明への応用((8)光関連デバイス・ディスプレイ)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク