22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)

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概要

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• High-quality ZnS homoepitaxial films have been grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on ZnS hulk substrates prepared by an iodine-transport method. Photoluminescence spectra of the ZnS homoepitaxial films at 4.2 K were dominated by the radiative recombination of excitonic transitions. In addition,the homoepitaxial growth of ZnS by molecular beam epitaxy (MBE) was performed on MOCVD-grown ZnS thick films. It was found that the contamination of residual impurity was much reduced in the ZnS homoepitaxial films grown by MBE.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1999-07-01

著者

• 中村 成志

  山口大学工学部

• 山田 陽一

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部

• 田口 常正

  山口大学工学部電気電子工学科

• 安藤 剛

  山口大学工学部

• 田中 重行

  山口大学工学部

• 山田 陽一

  山口大 工

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