高品質 ZnS エピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
減圧有機金属化学気相成長(MOCVD)法により,GaAs (100)面基板上へZnSへテロエピタキシャル薄膜の成長を行った。作製されたZnSエピタキシャル薄膜の4.2kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはZnS特有のSA発光と呼ばれる深い準位からの発光が抑えられ,自由励起子の輻射再結合が支配的であった。この自由励起子発光は室温(300k)においても観測された。自由励起子発光における線幅の温度依存性は,励起子-LOフォノン散乱および励起子-音響フォノン散乱を考慮することにより解析された。
- 山口大学の論文
著者
関連論文
- 17pRE-16 立方晶CdS薄膜の自由励起子発光とそのダイナミクス
- Cd_xZn_S-ZnS 量子井戸構造における励起子分子の関与したレーザ発振機構
- 22aB9 高品質ZnS薄膜のホモエピタキシャル成長(気相成長II)
- ZnTe_xSe_ 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
- RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
- MBE 法による Cd_xZn_Se 混晶薄膜の作成と光学的評価
- InGaN SQW 青色 LED の再結合発光におけるホットエレクトロン効果
- InGaN 青色 LED の連続発光およびパルス発光特性
- CdS 系量子井戸構造における室温励起子発光
- RF-MBE 法による GaN 薄膜の成長と光学的評価
- ZnS 薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
- ZnSe 単結晶ウエハの鏡面研磨
- MOCVD 成長 In_xGa_N 混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
- 340nm ZnS 紫外発光ダイオード
- 高品質 ZnS エピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性
- マイクロ波 N プラズマの励起種を用いた ZnSe : N の成長とフォトルミネッセンス
- マイクロ波窒素プラズマ励起種を用いた GaN 薄膜の成長と室温励起子発光
- CdZnSe 歪量子井戸構造における誘導放出光の一軸性応力効果