MBE 法による Cd_xZn_<1-x>Se 混晶薄膜の作成と光学的評価
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概要
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Cd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の組成揺らぎによる励起子線幅の不均一広がりと分子線強度比(Se/Cd, Zn)との関係を明らかにするために, Cd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の光学的評価を行った。成長はMBE装置を用い, 分子線強度比を1.0から3.0に変化させて行った。x=0.2における励起子の発光線幅はSe/CdZn=1.0と1.5のときは30.1meVと14.0meVであるのに対し, Se/Cd, Zn=2.0と3.0のときは6.1meVと7.8meVであった。この値は理論値に非常に近い値であった。このことから, Se供給量を増加させることにより2次元成長が可能になり, 結晶性が向上し, 組成揺らぎを押さえることができると考えられる。
- 山口大学の論文
著者
-
藤本 正克
山口県工業技術センター
-
山田 陽一
電気電子工学科
-
田口 常正
電気電子工学科
-
千田 和彦
大学院電気電子工学
-
重松 弘
大学院電気電子工学
-
石田 浩一
大学院電気電子工学
-
吉川 満俊
長州産業(株)
-
久保 八弥
山口エヌエフ電子(株)
-
藤本 正克
山口県産業技術センター
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