InGaN 青色 LED の連続発光およびパルス発光特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InGaN青色LEDの発光機構を明らかにするために, 注入型ルミネッセンス特性を測定した。観測された青色発光帯はブロードで, ピーク波長は540nm付近であった。電流を増加するとピーク波長は短波長側に移動し, 100mAのときのピーク波長は約453nmであった。また, このとき390nm付近の紫外発光帯が観測された。パルスおよび時間分解ルミネッセンスから青色発光帯は電子と深い準位のアクセプタが関与した発光であることがわかった。また, 紫外発光帯は活性層とn, p-AlGaN層の界面に生じているSiドナーとMgアクセプタが関与していると推定される。
著者
関連論文
- INTERVIEW 中村修二 カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授 (1500語だけで話せる! 非ネイティブの英語術)
- GaN青色LED, LD実現への歩み : 米国からのメッセージとともに
- 31a-ZS-10 InGaNSQw青及び緑色LEDのC-V特性(III) : Poole-Frenkel効果
- 31a-ZS-9 InGaNSQW青及び緑色LEDのC-V特性(II) : 定量的解析
- 窒化物系青, 緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 31p-K-2 InGaN SQW緑色LEDの高電流注入効果
- 青色発光ダイオードとレーザ : その発展とインパクト
- 2-4 LEDフルカラーディスプレイ( ディスプレイ技術の最近の進歩)
- 青色発光ダイオードとレーザーダイオードの開発ストーリーとその後
- Cd_xZn_S-ZnS 量子井戸構造における励起子分子の関与したレーザ発振機構
- 28aPS-18 c面およびa面GaNにおける励起子の緩和ダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
- 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
- カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
- 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
- 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
- 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- ZnTe_xSe_ 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
- RF-MBE 成長 GaN 薄膜の成長初期過程と降温過程
- 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
- 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- MBE 法による Cd_xZn_Se 混晶薄膜の作成と光学的評価
- 紫色InGaN系レーザーのダイオードの進展
- 青色発光デバイス開発における創造性 (私の研究生活事始め)
- 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
- INTERVIEW:夢の成就 -青色LED,LDの開発-
- 青色発光デバイス研究開発における創造性
- 植物工場用青色LED, LDの現状と将来
- 青色レーザー開発からの教訓
- InGaN SQW 青色 LED の再結合発光におけるホットエレクトロン効果
- 6a-E-10 窒化物系半導体による青色発光ダイオードとレーザーの開発
- 6a-E-9 InGaN多重量子井戸のゲイン特性
- GaN系室温CWレーザーダイオード
- 室温CW青紫色InGaN系レーザーダイオード
- 28p-S-1 InGaNエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光 : 高効率青色発光の起源
- 青色発光ダイオードとレーザ : その発展とインパクト
- 青色レーザーの現状
- InGaN系青紫色半導体レーザー
- InGaN系青紫色半導体レーザー
- InGaN/GaN/AlGaN系紫色半導体レーザーの現状と展望
- 窒化ガリウム系半導体の無極性面および半極性面を利用した光デバイスの研究 (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- 45歳で始めた英語漬け生活 (+40ページ新企画 非ネイティブの英語術--1500語だけで話せる!) -- (私のサバイバル英語学習法)
- InGaN 青色 LED の連続発光およびパルス発光特性
- CdS 系量子井戸構造における室温励起子発光
- RF-MBE 法による GaN 薄膜の成長と光学的評価
- GaN系高輝度LEDとレ-ザ-への展開 (緑青色レ-ザ-)
- 魚類乾燥予測モデルの構成
- 魚類乾燥プロセスにおける乾燥制御の一方法
- ZnS 薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
- ZnSe 単結晶ウエハの鏡面研磨
- 室温パルス発振青紫色窒化物半導体レーザ
- 知的財産シンポジウム 文と理,対峙から協働へ--文理融合型知的財産の活用方法を探る (特集 アジアと日本の法)
- MOCVD 成長 In_xGa_N 混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
- インタビュー 無極性窒化ガリウムで新しいデバイスへ
- InGaN青色LEDの発光機構
- 理系研究者からのコメント (特集 アジアと日本の法) -- (知的財産シンポジウム 文と理,対峙から協働へ--文理融合型知的財産の活用方法を探る)
- 基調講演 日米で発明者・研究者として活動して (特集 アジアと日本の法) -- (知的財産シンポジウム 文と理,対峙から協働へ--文理融合型知的財産の活用方法を探る)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第7回)アンモノサーマル法を用いたバルクGaN単結晶の育成
- INTERVIEW 無極性LDがレーザの世界を変える!!--カリフォルニア大学サンタバーバラ校 中村修二教授に聞く
- 講演録 青色発光ダイオードと中村流研究開発の極意
- GaN系発光素子の現状と将来
- InGaN系III-V族LEDの進展と半導体レーザー
- 青色発光ダイオードの開発
- 有機金属気相成長法
- 中村敗訴--特許権は会社に帰属 絶望した。日本は法治国家でない--中村修二(カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授)
- 白色および紫外LED
- 青色LEDとレーザーの開発
- 日亜化学の青色デバイス開発物語
- GaN系LEDの現状と将来
- 青色/緑色半導体レーザー技術の最前線
- 不可能を可能にする : 中村マジック
- 青色発光ダイオ-ド開発物語
- 正念場迎える「青色デバイス開発」 (特集:20世紀最後の5年間のキ-テクノロジ-(2)ニュ-マルチメディアの動向と技術開発の方向)
- 敗軍の将、兵を語る 中村修二氏[米カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部教授] 司法が技術者の夢を潰した
- 研究者に"金儲け"をさせよ (特集 大学の失墜--低迷する権威、進む就職予備校化) -- (私の実践的大学改革論)
- interview この人に聞く 青色発光ダイオード開発に直感で挑んだ異端児 中村修二博士
- Interview 無念の胸中を語る 米University of California Santa Barbara校教授 中村修二氏 僕の本音は「早く終わりにしたい」
- 高輝度青色発光ダイオ-ド
- GaN系高輝度青色LED
- 30p-YC-2 高輝度InGaN青色発光ダイオードの開発と水素の役割
- InGaN青色LEDとレーザーへの可能性
- 青色半導体レ-ザはどこまで可能か?--短波長LEDからLDへの挑戦 (90年代後半のエレクトロニクス・ニュ-ウェ-ブ--20世紀最後の5年間,何のテ-マに注目したらよいか?)
- InGaN/AlGaN発光ダイオ-ドの現状と性能向上
- 高輝度青色LED結晶の育成 : 招待講演
- フルカラ-表示ディスプレイ等に画期的インパクト--青色LEDも1cd(カンデラ)時代--100倍の高輝度をどう達成したか?青緑なら2cdも達成 (マルチメディア時代のキ-デバイス--青色デバイス革命) -- (青色LED編)
- InGaN 青色発光ダイオード ( 光応用技術 2.)