InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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時間分解発光スペクトロスコピーによりInGaN系量子井戸発光デバイスの発光ダイナミックスを測定し, 励起子の局在, ふく射, 非ふく射再結合過程を評価した。その結果, InGaN活性層のIn組成が約10%以下の試料においては量子井戸面内にランダムなポテンシャル揺らぎが存在し, それによって励起子の局在が生じていること, In組成が増えるに従い局在の程度が大きくなり, 約20%以上のIn組成の試料では量子ドット的な領域が自然形成していることが明らかにされた。このような大きな局在化によって, 励起子の非ふく射再結合中心への捕獲が抑制され, 高い発光の量子効率が実現していることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
著者
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
-
中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
藤田 茂夫
京都大学工学部
-
Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
成川 幸男
京都大学工学研究科電子物性工学
-
澤田 憲
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
西條 慎
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
澤田 憲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
中村 修二
日亜化学工業(株)開発部
-
藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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