藤田 茂夫 | 京都大学大学院工学研究科電子工学
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概要
関連著者
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
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Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
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Fujita Shizuo
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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FUJITA Shigeo
Department of Electrical Engineering Kyoto University
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Fujita Shigeo
Department Of Applied Physics And Physico-informatics Keio University
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Fujita S
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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藤田 静雄
京都大学大学院
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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成川 幸男
日亜化学工業
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KAWAKAMI Yoichi
Department of Electrical Engineering Kyoto University
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中村 修二
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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成川 幸男
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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藤田 茂夫
京都大学工学部
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ICHINO Kunio
Department of Electrical Engineering Kyoto University
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科
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藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
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FUJITA Shigetaka
Department of Electrical and Electronic System, Hachinohe Institute of Technology
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MASUDA Yoichiro
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Hachinohe Institute of Technology
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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Wu Yi-hong
Department Of Electrical Engineering Kyoto University:(present Address)department Of Electrical Engi
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Wu Y‐h
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Hsin‐chu Twn
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Wu Yi-hsun
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company R&d Device Department
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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SUDA Jun
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
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藤田 茂夫
京大・工
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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KAKEMOTO Hirofumi
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Suda J
Sasebo National Coll. Of Technol. Nagasaki
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Suda J
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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Suda Jun
Department Of Electronics Science And Engineering Kyoto University
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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Asano Mitsuru
Department Of Surgery Division Of Cardiovascular Surgery Kobe University Graduate School Of Medicine
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Asano M
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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澤田 憲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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Asano Mitsuru
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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向井 孝志
日亜化学工業
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井上 謙一
京都大学大学院工学研究科
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科
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寺嶋 正秀
京都大学大学院理学研究科
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辻村 歩
松下電器産業(株)先端技術研究所
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木戸口 勲
松下電器産業(株)先端技術研究所
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辻村 歩
松下電器産業(株)半導体研究センター
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Nishida T
Ntt Basic Res. Lab. Kanagawa Jpn
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藤田 静雄
半導体エレクトロニクス部門委員会
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藤田 静雄
京都大学 国際融合創造センター
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寺嶋 正秀
京大 大学院
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KAKEMOTO Hirofumi
Department of Metallurgy and Ceramics Science, Tokyo Institute of Technology
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Park Doo-cheol
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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丸月 義一
日亜化学工業株式会社
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成川 幸男
京都大学工学研究科電子物性工学
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泉 知明
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
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岡本 晃一
京都大学Venture Business Laboratory
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山口 栄雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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藤田 茂夫
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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Nishida T
Nara Inst. Sci. And Technol. Nara Jpn
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NAGATA Kunihiro
Department of Electronic Engineering, The National Defense Academy
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Nishida T
Nara Inst. Sci. And Technol. (naist) Nara Jpn
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山本 秀一郎
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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小川 雅弘
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
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石堂 輝樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
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柳田 祥三
大阪大学大学院工学研究科
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ONISHI TOSHIKAZU
Department of Human Ontogeny and Childhood Development, Tokyo Medical and Dental University
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平尾 孝
高知工科大学 ナノデバイス研究所
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島田 順一
京都府立医科大学
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塩嵜 忠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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内藤 和世
京都府立与謝の海病院外科
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青柳 克信
理研
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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平尾 孝
高知工科大 ナノデバイス研
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谷口 弘毅
京都府立与謝の海病院外科
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山田 陽一
筑波大物理
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Cook J.
Dept. Physics North Carolina State University
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桝本 泰章
筑波大物理
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天池 寿
亀岡市立病院外科
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天池 寿
京都府立与謝の海病院外科
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天池 寿
京都府立与謝の海病院 精神科神経科
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崔 正灌
京都大学大学院理学研究科
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崔 正権
京都大学大学院理学研究科
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藤 信明
京都府立与謝の海病院外科
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長谷川 靖哉
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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田中 悟
理研半導体工学研究室
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RAMVALL Peter
理研
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RIBLET Philippe
理研
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野村 晋太郎
理研
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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Ramvall P.
理研
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Riblet P.
理研
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成川 幸男
京大工
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川上 養一
京大工
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藤田 静雄
京大工
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藤田 茂夫
京大工
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美本 治彦
京大・工
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野口 透
京大・工
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川上 養一
京都大学・工学研究科・電子工学専攻
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稲葉 一樹
京都府立医科大学大学院医学研究科消化器腫瘍制御外科学
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Ogawa Masahiro
Department of Cardiology, Fukuoka University School of Medicine
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桝本 泰章
筑波大・物理
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山口 滋
Department Of Physics School Of Science Tokai University
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柳沢 昌輝
京都大学工学部電気工学教室
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Ueda Kentaro
Department of Cardiology, Hiroshima City, Asa Hospital
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宮嶋 宏
筑波大物理
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山田 陽一
筑波大・物理
-
宮嶋 宏
筑波大・物理
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山口 栄雄
京大・工
-
川上 養一
京大・工
-
藤田 静雄
京大・工
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尾形 健一
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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Watanabe Satoshi
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
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BABA Akira
Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
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計良 尚志
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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川口 大介
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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塩崎 忠
京大、工
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塩嵜 忠
芝浦工業大学
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橋本 潤
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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藤森 茂雄
京都大学工学部電気工学教室
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和田 雄二
東京工業大学大学院 理工学研究科
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石井 正宏
京都大学工学部電気工学教室
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WADA Satoshi
Department of Research Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, University of
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稲葉 一樹
京都府立与謝の海病院外科
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島田 順一
京都府立医大・老化研・病態病理 : 済生会吹田病院・外科第二
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Aoki Satoshi
Department of Cardiovascular center, Chiba-Hokusoh Hospital, Nippon Medical School
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川口 大介
長崎大学
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尾崎 英之
京大・工
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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OHNAKADO Takahiro
Department of Electrical Engineering, Kyoto University
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Yamaguchi Shigeo
Department of Electrical Engineering, Kyoto University
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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藤田 静雄
京大国際融合総合センタ
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Baba Akira
Department Of Cardiovascular Medicine Wakayama Medical University
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Baba A
Niigata Univ. Niigata Jpn
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和田 智志
Department Of Metallurgy And Ceramics Science Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Insti
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和田 智史
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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TSURUMI Takaaki
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Tsurumi Takaaki
Department of Inorganic Materials, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Te
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Hughes W.
Dept. Physics North Carolina State University
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Ueda Kentaro
Department Of Cardiology Hiroshima City Asa Hospital
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Ueda K
Institute For Laser Science University Of Electro-communications
-
Ueda K
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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塩崎 忠
京都大学工学部
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Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
-
大前 邦途
京都大学工学研究科電子物性工学
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成川 幸男
京都大学・工学研究所
-
藤田 茂夫
京都大学・工学研究所
-
中村 修二
日亜科学工業・開発部
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澤田 憲
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
西條 慎
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
山口 栄雄
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
須田 淳
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
成川 幸男
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
塩崎 忠
京大・工
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川端 昭
京大・工
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
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Wada S
Faculty Of Engineering Yokohama National University
-
JOHNSON M.
Dept. Physics, North Carolina State University
-
ROWLAND W.
Dept. Physics, North Carolina State University
-
SCHETZINA J.
Dept. Physics, North Carolina State University
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HE Y.
Dept. Electrical and Computer Eng., North Carolina State University
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EL MASRY
Dept. Electrical and Computer Eng., North Carolina State University
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REN J.
Cree Research, Inc.
-
EDMOND J.
Cree Research, Inc.
-
Baba A
Hachinohe Inst. Technol. Aomori
-
MASUMOTO Hiroshi
Institute for Materials Research, Tohoku University
-
HIRAI Toshio
Institute for Materials Research, Tohoku University
-
NISHIDA Takashi
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
SHIOSAKI Tadashi
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
OKAMURA Soichiro
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST)
-
市野 邦男
京都大学工学部電気工学教室
-
Ueda Kentaro
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
Wada Satoshi
Department Of Physics Graduate School Of Science Tokyo University Of Science
-
Wada Satoshi
Riken
-
Okamura S
Nara Inst. Sci. And Technol. (naist) Nara Jpn
-
Okamura Soichiro
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology (naist)
-
Okamura Soichiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Science University Of Tokyo
-
西塚 幸司
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学
-
森山 匠
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
島田 順一
京都府立与謝の海病院外科
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川上 養一
京都大学電子物性工学
-
藤田 茂夫
京都大学電子物性工学
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長谷川 靖哉
大阪大学物質生命工学
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和田 雄二
大阪大学物質生命工学
-
柳田 祥三
大阪大学物質生命工学
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中澤 忠廣
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
上坂 健一
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
KAKIMOTO Ken-ichi
Department of Urology, Osaka Medical Center for Cancer and Cardiovascular diseases
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Hirai T
Tohoku Univ. Sendai‐shi
著作論文
- 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- 29a-K-3 II-VI族量子井戸構造の高密度励起下における時間分解分光
- 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
- Alg_3薄膜のキャリア伝導
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- Optical Properties of ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer Quantum Wells
- Estimation of Critical Thicknesses and Band Lineups in ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer System for Design of Carrier Confinement Quantum Well Structures
- Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Zn_Cd_xS_ySe_ Quaternary Alloys on GaAs Substrate
- On the Properties of ZnSe/(NH_4)_2S_x-Pretreated GaAs Heterointerfaces
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- 青色発光GaNの微細構造と発光特性--なぜよく光るか?もっと光らせるには (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 真空蒸着法によるPbS_xSe_のエピタキシャル薄膜 : 融液成長と蒸着膜
- GaN/SiC基板上GaN系半導体のMBE成長
- Synthesis of BaTiO_3 Thin Films Substituted with Hafnium and Zirconium by a Laser Ablation Method Using the Fourth-harmonic Wave of a YAG Laser
- Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI
- Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
- Preparation of La-Modified Lead Titanate Film Capacitors and Influence of SrRuO_3 Electrodes on the Electrical Properties
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- バルクZnO基板の特性とホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
- LEDの医療応用の可能性;ロボット手術での赤の演色性の改善の重要性
- 有機薄膜マルチ構造の真空作製と発光ダイナミクス
- Zn系薄膜の各種作製法とその諸特性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- OME2000-52 有機EL薄膜へのC_添加効果
- 青色発行素子の行方
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
- ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価
- Comparative Study of Photoluminescence Dynamics of Tris (8-hydroxyquinoline) Aluminum-Based Organic Miltilayer Structures with Different Types of Energy Lineups
- Photoluminescence Dynamics of Aluminumquinoline/Oxadiazole Multilayer Structures
- Optical Properties of Aluminumquinoline-Oxadiazole Codeposited Luminescent Layers
- Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
- Molecular Beam Epitaxial Growth Behaviors of Zn1-xCdxSe on the GaAs(110)Surface Cleaved in Ultra High Vacuum (第37回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス(1996年10月30日〜11月1日,大阪))
- (2×6) Surface Reconstruction of GaAs (001) Obtained by Hydrogen Sulfide Irradiation
- Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during the Growth of ZnSe on Cleaved GaAs(110) Surface by Molecular Beam Epitaxy
- Recombination Dynarmics in Zn_xCd_S Single Quantum Well Grown by Photoassisted Metalorganic Vapour Phase Epitaxy by Time-Resolved Photoluminescence Spectroscopy
- Optical Properties of ZnSe/ZnMgSSe Single Quantum Wells Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
- Gas-Source Molecular Beam Epitaxial Growth of (Zn, Mg)(S, Se) Using Bis-methylcyclopentadienyl-magnesium and Hydrogen Sulfide
- Near-UV Electroluminescence from a ZnCdSSe/ZnSSe Metal-Insulator-Semiconductor Diode on GaP Grown by Molecular Beam Epitaxy
- Photoluminescence Excitation Spectroscopy of the Lasing Transition in Zn_Cd_Se-ZnS_Se_ Multiple Quantum Wells
- Carrier Injection Characteristics in Diamine/ZnSe Organic-Inorganic Thin-Film Heterostructures for Blue Electroluminescence
- Growth and Characterization of Strained-Layer Quantum Wells with Wide Gap ZnCdSSe Alloy System
- 第5回「科学と生活のフェスティバル」の報告
- Ferroelectric and Pyroelectric Properties of Ba_Pb_x Ti_(Hf_,Zr_)_O_3 Thin Films : Electrical Properties of Condensed Matter
- Ferroelectric SrxBa1-xNb2O6 Synthesized by YAG Laser Deposition
- Preparation and Ferroelectric Properties of BaTiO3 Related Thin Films
- Preparation and Ferroelectric Properties of Ti-Site Substituted BaTiO_3 Thin Films
- The Role of Growth Rates and Buffer Layer Structures for Quality Improvement of Cubic GaN Grown on GaAs
- Properties and Degradation of Polarization Reversal of Soft BaTiO_3 Ceramics for Ferroelectric Thin-Film Devices
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- Formation of an Atomically Flat Surface of ZnSe on GaAs(001) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 光CVDによる電子薄膜材料の作製 (光に反応する新しい工業材料--その開発と利用の現状)
- ヨウ素輸送法による立方晶系ZnS単結晶の育成 : 気相成長
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
- Growth Behavior of GaAs in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy onto ZnSe
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
- ZnOの基本物性と光デバイス応用
- 短波長半導体レーザーと発光ダイオードの構造と発光機構
- 半導体低次元系における励起子物性とレーザへの応用
- 有機/無機材料界面の問題
- ZnSe系量子井戸構造の成長と励起子ダイナミクス
- II-VI族半導体ヘテロ構造の設計と作製
- 二源蒸着法によるPbSxSe1-x薄膜の製作