Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
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概要
著者
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
Fujita S
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
Nishida T
Ntt Basic Res. Lab. Kanagawa Jpn
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
Nishida T
Nara Inst. Sci. And Technol. Nara Jpn
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
Nishida T
Nara Inst. Sci. And Technol. (naist) Nara Jpn
-
Nishida T
Ntt Basic Research Laboratories
-
Nishida Toshio
Ntt Basic Research Laboratories Physical Science Laboratory
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical Engineering Hachinohe Institute Of Technology
-
Masuda Yoshitake
Nagoya University Graduate School Of Engineering Department Of Applied Chemistry
-
Masuda Y
Department Of Electronic Intelligence And Systems Hachinohe Institute Of Technology
-
Masuda Y
Human Ecology Research Center Sanyo Electric Co. Ltd.
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