ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価

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概要

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• 有機金属気相成長におけるGaAsのZnSe上での成長姿態を様々な成長条件で調べた.透過型電子顕微鏡での断面観察より,低温成長(【less than or equal】500℃)あるいは高V, III比(【greater than or equal】10)で2次元的,高温成長(550℃)かつ低V/III比(【less than or equal】5)で3次元的な成長姿態をとることを見いだした.ZnSe表面での反応種のマイグレーションが3次元成長の機構であると考えられる.引き続き,ZnSe-GaAsヘテロ界面物性を電気的に評価した.ZnSe/GaAsヘテロ接合ダイオード(HD)における界面準位密度の低減を図り,さらに逆の構造であるGaAs/ZnSe HDの電流輸送機構との比較検討を行った.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-11-17

著者

• 船戸 充

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 藤田 茂夫

  京都大学工学部

• 藤田 静雄

  京都大学工学部電気工学教室

• 船戸 充

  京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• 船戸 充

  京都大学工学研究科

• Fujita Shigetaka

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te

• 藤田 静雄

  京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター

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