集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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本研究では,短波長域での重要な光材料である窒化物半導体を対象とし,集束イオンビーム(FIB)による微細加工と分布ブラッグ反射鏡(DBR)の試作を行った.FIBで加工した領域の側面を原子間力顕微鏡により測定したところ,表面粗さの2乗平均は0.5-0.8nmであり,平坦性の優れた平面および曲面構造の加工が可能であることが明らかになった.この結果を踏まえ,レーザ共振器端面にエアギャップ/GaN DBRを作製した.まず導波路内光損失係数を見積ったところ42cm^<-1>であった.その値を用いてDBRの反射率を求めたところ62%であり,ファセットミラーの反射率17%を大きく上回ることに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
小谷 晃央
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
畑田 芳隆
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科
-
向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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