半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し,その光学特性を評価した.まず,GaNホモエピタキシーの成長条件を検討し原子レベルで平坦な表面を得ることに成功した.光学反射測定ではA,B,C励起子が面内異方性を持っていることが確認された.フォトルミネッセンス(PL)スペクトルはA励起子による発光が支配的であり,その低エネルギー側にドナー束縛励起子によるシャープなダブレットの発光が観察された.さらに最適化した条件で成長したGaNホモエピタキシャル層上にInGaN/GaN MQWを作製した.波長428nmで観測した時間分解PLから,10Kでの再結合寿命が46psと142psと求められ,従来の(0001)面QWと比較して二桁ほど速いことがわかった.これは内部電界が低減され,輻射再結合確率が向上したことを示している.また,MQWのPLは,結晶の対称性を反映して,[1-100]方向に偏光度69%の強い偏光を示していた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科
-
向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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