470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年の窒化物半導体のための結晶成長技術向上は目覚しく,高効率・高輝度を達成した青色や白色発光ダイオード(LED)が,その産業的価値を急速に高めている.さらには,400nm帯のInGaN系レーザダイオード(LD)が次世代DVDのピックアップとして採用されるなど,InGaNベースの誘導放出を利用した光デバイスも応用上重要になり始めている.しかし,現状のInGaN LDが,低発振しきい値・高出力(CWで100mW以上)等の優れた性能を実現している波長領域は紫外線領域を中心に限られている[1].本研究では,InGaN LDの発振波長拡大・高性能化を目的としてその光物性の評価を行っている.本報告では特に,異なる発振波長を持つ市販のInGaN LDの光学利得に注目し,それが空間的In組成変調や井戸幅揺らぎに由来する不均一幅・大きな圧電定数に起因する内部電界等の窒化物半導体独特の物理にどのような影響を受けているのかを比較する.
- 2006-09-28
著者
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
-
小島 一信
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
-
シュワルツ ウルリヒ・T
Department of Physics, Regensburg University
-
ブラウン ハラルド
Department of Physics, Regensburg University
-
ブラウン ハラルド
Department Of Physics Regensburg University
-
シュワルツ ウルリヒ・t
Department Of Physics Regensburg University
-
小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門ld技術本部ld開発部
-
向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
長濱 慎一
日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部
関連論文
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- プラズモニクスを利用したLEDの高速・高効率化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 白色発光ダイオードの基礎と応用-固体照明の技術革新に伴う医工連携と産学連携の夜明け-
- 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- c面GaN基板上可視光半導体レーザーの開発
- ディスプレイ向け青色窒化物半導体レーザー
- 17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子
- 17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和
- 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
- 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- GaN系発光素子の現状(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
- 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 28aXB-1 Agの表面プラズモンによるルミネセンスの増強のメカニズム(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- GaN系LD/LEDの開発動向と現状
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN系発光素子を用いた高輝度白色光源の開発
- 超高出力365nm UV-LED
- 紫外GaN系LEDとLDの開発
- GaN系発光素子の現状(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- GaN系高出力青色半導体レーザ
- ディスプレイ用高出力青色半導体レーザ
- ディスプレイ用高出力青色半導体レーザ(画像技術・視覚・その他一般)
- 窒化物半導体レーザの発振波長の拡張
- GaN系半導体レーザーの発振波長の広帯域化
- AlInGaN半導体レーザの発振波長の広帯域化(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]AlInGaN半導体レーザの発振波長の広帯域化(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- GaN系近紫外発光素子 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- GaN系近紫外発光素子(紫外発光材料の現状と将来)
- GaN系半導体発光素子の現状と課題
- 29pXD-5 InGaN/GaN量子井戸構造の局所発光とキャリアダイナミクス(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-2 InGaN/GaN量子井戸構造中のIn組成揺らぎとキャリアのダイナミクス(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYM-9 InGaN成長膜中の転位と発光分布(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 15aTJ-1 InGaN 成長膜中の転位の歪場と発光分布(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 17aTG-6 TEM-CLによるInGaN層の発光と格子欠陥
- 青紫色GaN系VCSELの室温連続発振
- 純青色高出力InGaN半導体レーザー
- GaN基板上GaN系半導体レーザーの現状
- ディスプレイ用純青色高出力GaN系半導体レーザ (特集 プロジェクター大解剖)
- 次世代大容量光メモリー用光半導体
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- 28pXM-5 TEM-CL法によるGaN成長膜中の転位の研究(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 理想の紫外光源を求めて
- 私とJJAP : これからの論文誌に期待をよせて
- 白色および紫外LED
- GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
- GaN系LEDの現状と将来
- ZnSe系量子井戸構造の成長と励起子ダイナミクス
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによる Efficiency droop 機構の解明
- LEDの動向 (四国支部特集号)
- AlGaN MQWを用いた高出力280nm深紫外LED
- 青色発光ダイオードおよび白色発光ダイオード(教科書から一歩進んだ身近な製品の化学)
- 7aSG-4 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(2)(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
- 7aSG-5 GaNでの励起子・励起子分子ダイナミクス(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
- 24aYE-8 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))