InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
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概要
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In_<0.20>Ga_<0.80>N(3nm)/In_<0.05>Ga_<0.95>N(6nm)多重量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクスを、20Kにおいて高出力フェムト秒パルスレーザを用いた時間分解フォトルミネセンス(TRPL)、光ポンプ測定によりいて評価した。励起光強度の増大にともない、自然放出光は約50meVブルーシフトし、しきい値14μJ/cm^2で、2.990eVにおいて誘導放出が起こった。その発光ダイナミクスを評価したところ、誘導放出時の再結合寿命は14psと超高速な過程であった。このことから、InGaN系レーザーにおいても、ピコ秒パルスレーサーの作製が可能であることが初めて示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
-
中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
成川 幸男
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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