有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
二光子吸収効率の向上を目的としてフェニル基(フェニレン型)およびチェニル基(チェニレン型)を導入した有機ホウ素ポリマーを用いて積層導波路型の記録媒体を作製し、光記録とCCDを用いた新たな再生方法を試みた。単層記録媒体の実験ではフェニレン型では200nJ、チェニレン型では17nJでの光記録が可能であった。また、チェニレン型の有機ホウ素ポリーを用いて積層導波路型の三層媒体を作製し、光記録を行ったところ、選択した各層に対して正確に光記録が可能であった。さらに、各コア層に対し選択的に再生光を入射することで、導波した層のみから記録ピットの読み出しが可能であり、2次元ビットマップとしてCCDによる撮像に成功した。本実験で得られた結果は二光子吸収型3次元光メモリの可能性を大きく示すものである。
- 2009-09-18
著者
-
香取 重尊
京都大学大学院工学研究科
-
池之上 卓己
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
-
平林 克彦
NTTフォトニクス研究所
-
神原 浩久
NTTフォトニクス研究所
-
栗原 隆
九州先端科学技術研究所
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
平林 克彦
Nttフォトニクス総合研究所
-
神原 浩久
Ntt フォトニクス研
-
平林 克彦
Ntt フォトニクス研
-
平林 克彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
関連論文
- ミストCVD法によるコランダム型構造酸化物半導体薄膜の作製と評価
- GaN青色LED, LD実現への歩み : 米国からのメッセージとともに
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)
- 気相法による酸化亜鉛半導体薄膜のステップフローホモエピタキシャル成長
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用
- 有機ホウ素ポリマーを用いた二光子吸収型光メモリ装置
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収結合断裂
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 低分子3次非線形光学材料の特性
- C-3-23 クラッドフィルムを用いて作製したポリマスタンパ導波路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-6-7 フレキシブルスタンパ法で作製したピッチ変換ポリマ導波路(CS-6. 光インタコネクション技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- 非平面型金属フタロシアニン薄膜の吸収スペクトルと三次非線形光学特性
- 液晶を用いた光通信用可変光減衰器アレイ
- 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- 非平面型金属フタロシアニン薄膜の吸収スペクトルと三次非線形光学特性
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 4)STN液晶空間光変調器(情報ディスプレイ研究会)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- GaN/SiC基板上GaN系半導体のMBE成長
- 高効率発光ダイオード
- 10)コンベヤ式MOCVD装置によるZnS : Mn薄膜ELパネル(発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ研究会)
- 3)1988国際ディスプレイ学会報告, 発光型平面パネル(画像表示研究会)
- ナノサイズ液晶ドロップレットを用いた波長可変フィルター
- ナノサイズ液晶ドロップレットを用いた波長可変フィルター
- ナノサイズ液晶ドロップレットを用いた波長可変フィルター
- Zn系薄膜の各種作製法とその諸特性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- OME2000-52 有機EL薄膜へのC_添加効果
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- 高誘電率材料および強誘電体のシリコンLSIへの応用
- JJAPフレンドシップミーティング報告
- 結晶工学
- 結晶工学
- 第5回「科学と生活のフェスティバル」の報告
- 半導体ナノ構造の自己形成とその制御 : 酸化亜鉛半導体ナノドットを例に
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- ナノサイズ液晶ドロップレットを用いた波長可変フィルター
- サマリー・アブストラクト
- GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
- ZnOの基本物性と光デバイス応用
- 有機/無機材料界面の問題
- 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
- 2樹脂方式によるアサーマルAWGの残留2次温度特性の低減(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 2樹脂方式によるアサーマルAWGの残留2次温度特性の低減(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 2樹脂方式によるアサーマルAWGの残留2次温度特性の低減(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 2樹脂方式によるアサーマルAWGの残留2次温度特性の低減(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フレキシブルデバイスの構造設計と有機FETへの応用
- 超音波噴霧法による透明導電膜および有機薄膜太陽電池の作製
- ミストＣＶＤ法の薄膜作製におけるファインチャネルおよび衝突混合の効果