ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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我々は基板の厚みを制御することにより高いフレキシビリティが得られることに着目し、厚さ10μmを切る薄膜基板上の有機FET素子の開発に成功した。基板として厚さ5μmのポリイミドフィルムを使用し、その上にゲート電極、ゲート絶縁膜、S-D電極を形成し、活性層としてペンタセンを50nm蒸着した。得られたFET素子は移動度0.02cm^2/Vs、On/Off比10^4、リーク電流が10^<-10>Aであった。また、曲率半径1.5mm程度では変形前後において塑性変形することなく容易に元の形状を回復し、さらに特性変化が生じない有機FET素子の開発に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-17
著者
-
香取 重尊
京都大学大学院工学研究科
-
栗原 隆
京都大学国際融合創造センター
-
小松 徳太郎
日立化成工業株式会社 総合研究所
-
小松 徳太郎
京都大学理学部
-
小松 徳太郎
東大・院・総合
-
松重 和美
京都大学国際融合創造センター
-
香取 重尊
京都大学国際融合創造センター
-
下地 規之
ローム株式会社
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